Исследование Свойств Квантовых Точек Полупроводников a-=sup=-Ii-=/Sup=-B-=sup=-Vi-=/Sup=- И a-=sup=-Iii-=/Sup=-B-=sup=-v-=/Sup=-

Abstract

The specific features of the electron spectra of II–VI and III–V semiconductor quantum dots are studied experimentally and theoretically. Analysis of the samples makes it possible to estimate the positions of the first three levels in the electron spectrum of the quantum object. Good qualitative and quantitative agreement between the experimental results and theoretical estimates is attained. It is shown that the mechanism of the experimentally observed field-emission current through a quantum dot is satisfactorily described by Morgulis–Stratton theory in experimental conditions.

Исследование Электрофизических Свойств Коллоидных Квантовых Точек Антимонида Индия

“…Анализ экспериментальных данных по положению пиков на нормированных дифференциальных туннельных ВАХ для группы образцов (порядка 0.2 V для первого пика, 0.4 V для второго пика и 0.6 V для третьего пика) позволил провести оценку величины линейных размеров КТ по модели кубической формы [2,9] в диапазоне значений 13−18 nm при погрешности измерений положения пиков по энергии не более 2kT . Это соответствует непосредственным измерениям при помощи ПЭМ (рис.…”

“…Квантовые точки (КТ) на основе антимонида индия (InSb) вызывают особый интерес благодаря уникальным свойствам InSb: малая ширина запрещенной зоны (∼ 0.18 eV), малые эффективные массы электронов (m * ∼ 0.013m 0 , m 0 -масса свободного электрона), большая длина волны де Бройля электронов (до 55 nm) [1][2][3].…”

Исследование Особенностей Электронного Спектра Квантовых Точек Узкозонных Полупроводников

“…Соединения A 3 B 5 (прежде всего InSb) и некоторые из соединений А 2 В 6 (HgTe, HgSe) обладают характерными особенностями энергетического спектра (малая ширина запрещенной зоны ∼ 0.2 eV) и экстремально малыми значениями эффективной массы электронов проводимости. Поэтому специфические явления, связанные с размерным квантованием энергетического спектра электронов, могут проявляться в сравнительно больших по размерам структурах (например, для InSb до 30 nm), что может существенно упростить технологию получения и работу с такими объектами [1][2][3][4].…”