Микрооптопара На Базе Микродискового Лазера И Фотодетектора С Активной Областью На Основе Квантовых Ям-Точек

Abstract

We report on the possibility to detect laser emission of microdisk laser having diameter of 24 μm with an active region based on InGaAs/GaAs quantum well-dots using a waveguide photodiode (100x4000 μm) with a similar active region. A photocurrent of ~ 10 μA was obtained under a continuous-wave laser operation, injection current of 20 mA and a distance between the facets of the microlaser and photodiode of about 100 μm. The photodiode’s sensitivity was estimated to be ~ 9 μA / 10 μW.

Микрооптопара (λ = 3.4 μm) на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAs для измерения концентрации этанола в водном растворе методом МНПВО

“…термин " on-chip sensor", русскоязычный аналог этого термина -" система на кристалле", СНК). В одном из вариантов такой интеграции на единой монокристаллической полупроводниковой подложке создают микрооптопару, состоящую из оптически связанных диодных источника и приемника излучения c характерными размерами активных областей от 20 до 300 µm [5][6][7][8]. Под оптической связью при этом подразумевается доставка в приемник излучения источника, вышедшего из полупроводника [5,6], либо доставка излучения, не покидающего монолитный чип, т. е. излучения, распространяющегося внутри прозрачной подложки [7][8][9].…”

“…В одном из вариантов такой интеграции на единой монокристаллической полупроводниковой подложке создают микрооптопару, состоящую из оптически связанных диодных источника и приемника излучения c характерными размерами активных областей от 20 до 300 µm [5][6][7][8]. Под оптической связью при этом подразумевается доставка в приемник излучения источника, вышедшего из полупроводника [5,6], либо доставка излучения, не покидающего монолитный чип, т. е. излучения, распространяющегося внутри прозрачной подложки [7][8][9]. В последнем случае монолитную микрооптопару светодиод (СД) -фотодиод (ФД) можно использовать как датчик многократного нарушенного полного внутреннего отражения (МНПВО), поскольку величина фототока в ФД зависит от показателя преломления и коэффициента поглощения вещества (аналита), имеющего оптический контакт с подложкой.…”

Исследование Чувствительности Микродискового Лазера К Изменению Показателя Преломления Окружающей Среды

“…В настоящее время уже реализованы микродисковые лазеры на основе кван-товых точек InAs/InGaAs/GaAs, способные работать в непрерывном режиме при оптической накачке в водной среде [6]. Кроме того, такие микролазеры могут быть успешно интегрированы с кремниевой подложкой [7], с детектором лазерного излучения [8], а также демонстрируют скорость передачи данных до 10 Gb/s при низком энергопотреблении [9].…”

Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии

“…Так, в работе [7] сообщалось о применении излучаемой в свободное пространство оптической мощности инжекционного микродискового лазера для возбуждения пяти вертикальных микрорезонаторов (микропилларов) при проведении экспериментов по квантовой электродинамике. Еще одним применением, требующим достаточно высоких значений мощности, излучаемой в свободное пространство, является реализация оптической связи на сверхкороткие расстояния, которая, в частности, может быть осуществлена посредством микролазера и волноводного фотоприемника, расположенных на некотором удалении друг от друга [8,9]. Для достижения высокой скорости передачи данных требуются довольно большие токи инжекции и значительная выходная мощность излучения.…”