Моделирование Образования Каскада Смещений И Переходных Ионизационных Процессов В Кремниевых Полупроводниковых Структурах При Нейтронном Воздействии

Abstract

The formation of a disordered defect region in bulk silicon is simulated using the molecular-dynamics method for various energies of a primary recoil atom. Variations in the volume and number of radiation-induced defects in a cluster during its formation are calculated. The generation rates of nonequilibrium carriers and amplitude-temporal dependences of pulses of ionization currents in test Schottky diodes with hyperhigh frequencies are found theoretically.

Особенности Трансформации Микрорельефа Структур "Кремний На Изоляторе" При Воздействии Фотонных И Корпускулярных Излучений

“…Решив уравнение (2) относительно T a и T e , можно вычислить обмен энергией между атомной и электронной подсистемами. Ранее рассмотренный подход применялся для моделирования процесса образования кластера радиационных дефектов в объеме полупроводника [14]. В настоящей работе в ходе моделирования рассматривались два предельных случая взаимодействия нейтрона с атомом вещества.…”