The formation of a disordered defect region in bulk silicon is simulated using the molecular-dynamics method for various energies of a primary recoil atom. Variations in the volume and number of radiation-induced defects in a cluster during its formation are calculated. The generation rates of nonequilibrium carriers and amplitude-temporal dependences of pulses of ionization currents in test Schottky diodes with hyperhigh frequencies are found theoretically.

A theoretical analysis of the degradation of the current-voltage characteristic and transient ionization processes occurring in a low-barrier uncooled GaAs Mott diode under the action of heavy ions of outer space and laser pulses simulating them is carried out. The response of the diode to the action of an arsenic ion with an energy of 200 MeV, corresponding to a linear energy transfer of 26 MeV∙cm2/mg, is compared with the response to the action of femtosecond pulses of optical radiation with a duration of 10 fs with a wavelength of 870 nm and 670 nm.

Проведен расчет протекания носителей заряда в структуре биполярного транзистора на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в его рабочей области одиночного кластера радиационных дефектов. Показано, что место зарождения кластера радиационных дефектов существенным образом влияет на степень деградации коэффициента усиления биполярного транзистора. Получена вероятностная оценка радиационно-индуцированного прокола базы в зависимости от ее толщины и флюенса нейтронов. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45103.17 ВведениеПри упругом рассеянии быстрых нейтронов на атомах вещества последним передается энергия, значительно превосходящая энергию связи атомов в твердом теле. Энергии первично выбитых атомов обычно достаточ-но для выбивания из узлов кристаллической решетки следующих атомов, в результате чего образуется раз-ветвленный каскад смещенных атомов. В дальнейшем в процессе диффузии возникшие элементарные точечные дефекты -вакансии и межузельные атомы -либо ре-комбинируют, либо образуют устойчивые скопления -кластеры радиационных дефектов. Общепринятая теория образования каскадов смещений под действием проника-ющих излучений приведена в работе [1], которая в свою очередь основана на большом теоретическом и экспери-ментальном материале, изложенном в обзорах [2-4].В работе [5] на примере Si показано, что локальная концентрация дефектов в области кластера может до-стигать 10 20 см −3 , что на несколько порядков превосхо-дит как концентрацию атомов примеси даже в сильно легированных областях полупроводниковых приборов, так и максимальную концентрацию точечных дефектов при облучении полупроводников потоками электронов высоких энергий и γ-квантов. Очевидные отличия в структуре повреждений облученных полупроводников неизбежно отражаются на их электрофизических харак-теристиках, что подтверждается экспериментально [6] на основе данных измерений методами нестационарной токовой и емкостной спектроскопии глубоких уровней, холловских характеристик и т. д. В частности, захват основных носителей заряда на глубокие уровни кластера радиационных дефектов приводит к образованию потен-циального барьера для основных носителей заряда и потенциальной ямы для неосновных носителей заряда, что обусловливает снижение темпа захвата первых и увеличение темпа захвата последних [7]. В итоге струк-турные повреждения материалов приводят к деградации рабочих характеристик полупроводниковых приборов, например коэффициента усиления транзистора.В отличие от полевых транзисторов, в которых пе-реносом неосновных носителей заряда обычно можно пренебречь, в биполярных транзисторных структурах электрический ток формируют оба типа носителей заря-да. При этом носители заряда, являющиеся основными в эмиттере (например, электроны в n−p−n-транзисторе), при переходе в базу становятся неосновными и вновь становятся основными в коллекторе.Большинство работ, посвященных анализу деградации характеристик полупроводниковых приборов при ней-тронном воздействии, выполнено в приближении рав-номерного распределения кластеров радиационных де-фектов в рабочей области, что спра...