Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке

Abstract

Предложен новый метод синтеза GaN в полуполярном направлении на подложке Si(100), на поверхности которой сформирована V -образная нанострук-тура с суб-100 nm размером элементов. Показано, что применение нанострукту-рированной подложки в методе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений позволяет формировать слой, направление роста которого отклоне-но от полярного направления на угол около 62• при минимальной полуширине рентгенодифракционной кривой качания GaN(1011) ω θ ∼ 60 arcmin.

Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления

“…Известны попытки выращивания слоев AlN на подложке Si(111) различными методами: газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (MOCVD) [2], хлоридно-гидридной газофазной эпитаксии (HVPE) [3], молекулярно-пучковой эпитаксии (MBE) [4]. Однако эпитаксиальный рост слоя AlN на Si затруднен из-за большого различия постоянных решеток AlN и Si (∼ 19%) [5].…”

“…Известно, что зарождение и размножение дислокаций в кристаллах происходят при деформациях, превышающих критические. Для большинства гетероструктур, как правило, считается, что термические деформации, по крайней мере при температурах меньше половины температуры плавления вещества, практически не релаксируют и проявляются в виде упругой деформации при комнатной температуре [3].…”

Влияние Ориентации Кремниевой Подложки С Буферным Подслоем Карбида Кремния На Диэлектрические И Полярные Свойства Пленок Нитрида Алюминия

“…Поэтому такие слои облада-ют значительной спонтанной поляризацией [9] и внутренним полем, что отрицательно сказывается на работе светоизлучающих устройств. Поэтому в последнее время предпринимаются попытки получения тонких пленок нитридов, в которых ростовая полярная ось была бы наклонена как можно ближе к поверхности подложки, для чего используются кремниевые пластины с отличной от 111 ориентации [10][11][12].…”

Покрытие наноструктурированной профилированной поверхности Si слоем SiC

“…Таким материалом, в частности, является карбид кремния. Отметим, что подобные покрытия важны и для роста пленок полуполярных ориентаций широкозонных соединений A 3 B 5 (AlN и GaN) [3][4][5]. Совершенно очевидно, что выращивать пленки широкозонных материалов A 3 B 5 на SiC предпочтительнее, чем на Si.…”