Роль энергии фотонов возбуждения в динамике фотоиндуцированных носителей заряда в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs

Abstract

Исследовано влияние энергии фотонов возбуждения на времена релаксации фотовозбужденных носителей заряда. Проведены оценка возникающих механизмов релаксации и анализ коэффициента отражения в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs. Построена модель изменения коэффициента отражения в барьерном слое InAlAs в зависимости от энергии фотонов возбуждения. Объяснено резонансное поведение коэффициента отражения.

Фотопроводящий THz-детектор на основе сверхрешеточной гетероструктуры с плазмонным усилением

“…Однако на данный момент коммерчески доступные ФПА все еще имеют низкую эффективность оптико-THz-преобразования. Эффективность ФПА определяется как свойствами фотопроводящего слоя [1][2][3], так и топологией электродов [4]. Большинство коммерческих антенн изготавливается на основе GaAs или тройного соединения InGaAs [5].…”

Плазмонные Фотопроводящие Антенны Для Систем Терагерцовой Импульсной Спектроскопии И Визуализации-=sup=-*-=/Sup=-

“…Фотопроводящие антенны (ФПА) на основе GaAs и его тройных соединений формируют универсальную элементную базу для построения THz импульсных систем [29]. Среди прочих источников THz излучения ФПА эффективно работают при комнатной температуре, имеют широкий спектр генерации THz излучения до 4.5 THz при динамическом диапазоне до 80 дБ [30] и позволяют добиться высоких пиковых мощностей THz излучения за счет оптимизации фотопроводящего материала и геометрии электродов антенны [31][32][33]. При этом интегральная мощность ФПА до сих остается относительно невысокой и составляет 1−10 µW при работе в импульсном режиме с лазерной накачкой в диапазоне мощностей от единиц до сотен mW.…”