No abstract

No abstract

Методом терагерцевой спектроскопии исследована эффективность генерации и детектирования ТГц-излучения в диапазоне до 3 ТГц пленками LT-GaAs, содержащими легирующие эквидистантные δ-слои Si и выращенными методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А. На поверхности пленок были изготовлены микрополосковые фотопроводящие антенны. Генерация ТГц-излучения происходила при облучении зазора антенны фемтосекундными оптическими лазерными им-пульсами. Показано, что интенсивность ТГц-излучения от фотопроводящей антенны на LT-GaAs/GaAs (111)A в 2 раза больше, чем от такой же антенны на LT-GaAs/GaAs (100), а чувствительность антенны на LT-GaAs/GaAs (111)A как детектора ТГц-излучения в 1.4 раза превосходит чувствительность антенны на LT-GaAs/GaAs (100).

Исследовано влияние энергии фотонов возбуждения на времена релаксации фотовозбужденных носителей заряда. Проведены оценка возникающих механизмов релаксации и анализ коэффициента отражения в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs. Построена модель изменения коэффициента отражения в барьерном слое InAlAs в зависимости от энергии фотонов возбуждения. Объяснено резонансное поведение коэффициента отражения.

Методами оптического зондирования при фемтосекундной лазерной накачке (optical pump-probe) и терагерцевой спектроскопии во временной области исследовано влияние эпитаксиальных напряжений на динамику неравновес-ных носителей заряда, а также спектр терагерцевого излучения в пленках Iny Ga 1−y As. Продемонстрировано снижение времени жизни неравновесных носителей заряда и увеличение ширины спектра терагерцевого излучения для пленки Iny Ga 1−y As с большим механическим напряжением. DOI: 10.21883/PJTF.2017.22.45260.16958 Источники излучения в терагерцовом (THz) спектральном диа-пазоне являются востребованными для диагностики разнообразных объектов в медицине, сфере безопасности и науке [1][2][3]. В настоящее время разработка источников THz-излучения ведется по двум нарав-лениям: оптимизация формы электродов для генераторов и детекторов THz-излучения [4] и использование новых материалов или модификация свойств уже имеющихся [5]. Тройное соединение In y Ga 1−y As (где y -мольная доля индия) -хорошо известный материал для фотопроводя-щих THz-антенн. Такие антенны требуют оптической накачки на длинах волн 0.74−1.5 µm. Наиболее часто THz-спектроскопии используется соединение In y Ga 1−y As с y = 0.53 благодаря соответствию параметров кристаллической решетки этого соедининия параметрам подложки из фосфида индия (InP). Однако подложки InP достаточно дорогие, хруп-кие и обладают более низкой пропускной споосбностью THz-излучения, 48