Синтез, фото- и катодолюминесцентные свойства коллоидных квантовых точек CdSe, CdTe, PbS, InSb, GaAs

Abstract

Quantum dots of the group of wide-gap and narrow-gap semiconductors are synthesized and investigated under identical conditions, which makes it possible to perform the comparative analysis and modeling of the mechanisms of radiative recombination and luminescence, for which a stable exciton bond between the electron and hole has an important role. Exciton states are unstable for quantum dots without a shell and narrow-gap semiconductors, which leads to a substantial decrease in the probability of radiative recombination and, correspondingly, the quantum yield of luminescence. The experimental values of the spectral position of the luminescence maximum for quantum dots with clear manifestation of the exciton recombination mechanism noticeably shift to the long-wavelength region with respect to the calculated ones. In calculations and analysis, we use the effective electron mass for bulk semiconductors. The observed good correspondence of the calculated values of the maximum and spectral band with the experiment can mean that quantum dots have a long-range order crystalline structure similar to that one observed in single crystals and polycrystals.

Свойства Полупроводниковых Коллоидных Квантовых Точек, Полученных В Условиях Управляемого Синтеза

“…ФЛ-исследование позволяет судить о механизмах возбуждения и рекомбинации неравновесных носителей заряда в QD и влиянии на них размерного квантования. Измерения проводились методом, описанным в нашей работе [18].…”

Особенности Излучательных Свойств Квантово-Размерных Частиц Узкозонных Полупроводников

“…В связи с этим QP по сравнению с QD будут иметь особенности свойств, в частности излучательных. Если в QD относительно широкозонных полупроводников, например CdSe, фотолюминесценция определяется экситонной моделью и имеет высокие уровни интенсивности, то для узкозонных, например InSb и PbS, она многократно слабее и обусловлена другими механизмами [6].…”

“…Целью настоящей работы является исследование особенностей излучательных свойств наиболее изучаемых квантово-размерных частиц на основе узкозонных полупроводников: QP-PbS и QP-InSb. QP изготавливались методом коллоидного синтеза [7] и исследовались методами фотолюминесценции [6], просвечивающей электронной микроскопии (ТЕМ) [8] и с помощью анализа вольт-амперных характеристик (ВАХ) [9].…”