Электрические и оптические свойства тонких пленок TiN

Диоды Шоттки графит/p-SiC, полученные методом переноса нарисованной пленки графита на SiC

“…вставку на рис. 3), однако учитывать влияние последовательного сопротивления при высокой частоте переменного сигна-ла является необходимым [11]. Значение барьерной ем-кости с учетом последовательного сопротивления гете-роперехода рассчитывается по следующей формуле [12]:…”

“…При обратном смещении в случае резкого перехода то, что обратные ветви ВАХ на рис. 7 являются пря-мыми линиями в координатах ln(I t rev ) = f (ϕ 0 − eV ) −1/2 , согласно [18][19][20], подтверждает доминирование туннель-ного механизма токопереноса в области обратных сме-щений 0.5 < |V | < 3 B.…”

Транспорт и фоточувствительность в структурах: композитный слой из наночастиц кремния и золота на p-Si

“…При этом композитные слои с кремниевыми наночастицами особенно важны для этих работ, так как кремний является основным материалом электроники. В то же время механизмы переноса но-сителей в структурах с наночастицами изучены относи-тельно слабо [3][4][5], хотя они очень важны для создания эффективных приборов.…”

Рост, cтруктура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок CdTe

“…Разработаны раз-личные методы получения тонких пленок указанного соединения. В последние годы опубликованo много работ посвященных получению [4][5][6][7] и исследованию оптических и электрических свойств пленок CdTe [8][9][10][11][12][13][14][15][16][17][18]. Однако комплексные исследования особенностей роста, структуры и морфологии поверхности мало проведены.…”