2019
DOI: 10.21883/ftp.2019.07.47876.9036
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Эпитаксиальный Карбин: Аналитические Результаты

Abstract: The Green’s function method in the tight-binding approximation is used to obtain analytical expressions for the electronic spectra and densities of states for two carbyne structural modifications (cumulene and polyyne). Metal and semiconductor substrates are considered and charge-transfer estimates are deduced. Criteria for the occurrence of a charge-density wave in free-standing and epitaxial carbynes are proposed taking into account the intra- and interatomic Coulomb repulsion. Analytical expressions for the… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
5

Year Published

2021
2021
2021
2021

Publication Types

Select...
2

Relationship

2
0

Authors

Journals

citations
Cited by 2 publications
(5 citation statements)
references
References 20 publications
0
0
0
5
Order By: Relevance
“…Если, однако, требуется найти интегральную характеристику -например, число заполнения атома углерода недопированного графена n SLG = 0 −∞ ρ SLG (ω)dω = 1, то приходится вводить энергию обрезания ξ и, оставаясь в пределах низкоэнергетического приближения, записывать плотность состояний в виде ρ SLG (ω) = 2|ω|/ξ 2 . Далее, в модельном представлении плотности состояний кристаллического графена [44], на основе которого предложено выражение (1), игнорируются особенности Ван Хова. При дифференцировании модельной плотности состояний в окрестности ω = ±t получим конечные, а не бесконечные значения производных.…”
Section: заключениеunclassified
“…Если, однако, требуется найти интегральную характеристику -например, число заполнения атома углерода недопированного графена n SLG = 0 −∞ ρ SLG (ω)dω = 1, то приходится вводить энергию обрезания ξ и, оставаясь в пределах низкоэнергетического приближения, записывать плотность состояний в виде ρ SLG (ω) = 2|ω|/ξ 2 . Далее, в модельном представлении плотности состояний кристаллического графена [44], на основе которого предложено выражение (1), игнорируются особенности Ван Хова. При дифференцировании модельной плотности состояний в окрестности ω = ±t получим конечные, а не бесконечные значения производных.…”
Section: заключениеunclassified
“…2. В работах [8,9] модель Китинга была впервые применена к описанию гармонических и ангармонических свойств графена. В [8] было показано, что однослойной гексагональной гомополярной структуре отвечают упругие постоянные второго порядка c i j вида…”
unclassified
“…и параметр внутренних смещений Клейнмана ζ = (2α − β)/(4α + β). Недавно было убедительно продемонстрировано [10,11], что у двумерных полярных соединений отсутствует щель между длинноволновыми продольными [8,9] формулы применимы ко всем бинарным ГПС.…”
unclassified
See 2 more Smart Citations