“…Если, однако, требуется найти интегральную характеристику -например, число заполнения атома углерода недопированного графена n SLG = 0 −∞ ρ SLG (ω)dω = 1, то приходится вводить энергию обрезания ξ и, оставаясь в пределах низкоэнергетического приближения, записывать плотность состояний в виде ρ SLG (ω) = 2|ω|/ξ 2 . Далее, в модельном представлении плотности состояний кристаллического графена [44], на основе которого предложено выражение (1), игнорируются особенности Ван Хова. При дифференцировании модельной плотности состояний в окрестности ω = ±t получим конечные, а не бесконечные значения производных.…”