No abstract

В работе проводится краткий обзор установок, предназначенных для тестирования материалов первой стенки ТЯР при высоких тепловых и корпускулярных нагрузках. Описана созданная в рамках работы установка, позволяющая проводить напыление защитных покрытий на основе карбида бора и проводить испытания материалов при тепловых нагрузках до 40 МВт/м 2. Приведены результаты первых экспериментов по напылению покрытий карбида бора и тестированию этих покрытий и перенапылённых вольфрамовых слоев.

Рассмотрена конструкция инновационной установки "Геликон-ТМ" для ионно-стиму-лированного формирования одно-и многокомпонентных металлических, диэлектрических и полупроводниковых слоев. Изучено влияние плазмы геликонного разряда на структуру пленок. The design of an innovative Helicon-TM system for ion-induced deposition of single and multicomponent metal, dielectric and semiconductor layers is described. The influence of the helicon plasma discharge on the structure of the films is studied. в последнее десятилетие для улучшения ресурс-ных и функциональных характеристик изде-лий машиностроения, электроники и меди-цины взамен га льванотехническ их методов модификации поверхностей все большее рас-пространение получают экологически чистые вакуум но-плазменные системы формирования многокомпонентных тонкопленочных струк-тур, в том числе на основе магнетронного и ваку-умно-дугового газовых разрядов. Причем сочета-ние в одной напылительной системе магнетрон-ного и вакуум но-дугового источников позволяет охватить практически неограниченную номен-клатуру распыляемых материалов: металлов, полупроводников и диэлектриков, -обеспечи-вая получение качественных покрытий с доста-точно высокой скоростью оса ж дения. Однако для целенаправленного управления нанострук-турой, фазовым и химическим составом носи-мых слоев требуются дополнительные техниче-ские средства. Введение ассистирующей ионной бомбардировки подложки одновременно с осаж-дением на нее пленок из распылительных источ-ников с реализацией гибридной плазменной системы (ГПС) решает эту задачу. Особенно эффек-тивными являются источники на основе плазмы высокой плотности, которую наиболее просто получить с помощью индуктивного ВЧ-разряда, помещенного во внешнее магнитное поле. Такие источники плазмы называют ся геликонными. При использовании геликонного разряда, в отли-чие от обычного, в котором варьируется только мощность, существуют дополнительные инстру-менты для управления составом и структурой плазмы, а именно величина и конфигурация внешних магнитных полей. Регулирование ука-занных параметров позволяет управлять плотно-стью плазмы и ее пространственным распределе-нием в области подложкодержателя [1][2][3].И ннов а ц ионна я ус та новк а "Ге ли кон-ТМ" спроек тирована для проведения исследований и разработки широкого класса новых управляе-мых технологических процессов нанесения функ-циональных покрытий различных материалов методами магнетронного распыления и / или электродугового испарения в плазме геликон-ного разряда. Плазмостимулированные процессы осаждения с регулируемой плотностью и энергией плазменного воздействия обеспечивают управ-ляемое наноструктурирование покрытий, которые могут использоваться в различных областях науки и техники (нано-, микро-, опто-, фото-и радиоэлек-троника, медицина, накопители энергии и др.). Геликонный разряд обеспечивает в области под-ложкодержателя концентрацию плазмы до 10 12 см -3 , а подаваемое на подложку ВЧ-смещение -энергию ионов от 10 до 300 эВ. Это позволяет разрабатывать инновационные технологические процессы плаз-мостимулир...

No abstract

No abstract