A method of DLTS with only one temperature raising is described end discussed. It allows to obtain the activation energy of deep trap emission probability not only from detached DLTS responses but also from partially superimposed responses. Besides it is shown that reducing the overlapping of such responses is possible. A simple and low-cost experimental arrangement is set up.. Une procbdme d'exploitation de la DLTS B une seule remontbe de temperature est dbcrite et discutbe. Elle permet d'obtenir l'bnergie d'activation de la probabilitb d'bmission des pikges profonds non seulement pour des rbponses DLTS isoltks, mais aussi pour des rbponses partiellement superposbes. On montre d'ailleurs qu'il est possible de diminuer le recouvrement de telles rbponses. Un montage expbrimental simple e t relativement peu couteux est proposb.

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2014 Nous décrivons une méthode D.L.T.S. utilisant une détection synchrone dont la mise en oeuvre est simple ; cette méthode réduit l'influence sur les mesures de la réponse transitoire du capacimètre et élimine la composante continue de la capacité. La détection de l'harmonique deux présente alors une meilleure sélectivité que la détection du fondamental. La limitation à une demi-période du signal de capacité à l'entrée de la détection synchrone réduit le bruit de fond pour les coefficients de Fourier a1, a2, b2 de ce signal. Une seule remontée de température est suffisante pour déterminer la signature des défauts. Nous caractérisons trois défauts d'énergie d'activation respective : 0,22 ; 0,29 ; 0,39 eV dans un échantillon de Ga As multi-implanté en oxygène. Abstract. 2014 A D.L.T.S. method using a lock-in amplifier is described whose setting up is simple. This method reduces the influence of the capacimeter transient response upon measurements and suppresses the direct component of the capacitance signal. The detection of second harmonic permits a better selectivity than the detection of the fundamental. Limiting to half a period the capacitance signal steps down the noise in measuring the Fourier coefficients a1, a2, b2 of this signal. A single temperature scanning is sufficient for determining the defect « signature ». By way of example three defects are characterized in an oxygen multi-implanted Ga As sample : respective activation energy of them are 0.22, 0.29 and 0.39 eV.

2014 On présente l'analyse détaillée d'une méthode DLTS à double corrélation utilisant une seule détection synchrone sélective et l'on montre l'intérêt qu'elle présente pour la détermination de la signature des centres profonds dans les semiconducteurs et du profil spatial de leur concentration. Cette méthode est appliquée à la caractérisation d'un échantillon de GaAs multi-implanté en oxygène. Une seule remontée en température est nécessaire pour faire la déconvolution des pics du spectre DDLTS relevé. On détermine ainsi la signature et l'énergie d'activation des défauts correspondants.Abstract 2014 A detailed analysis of a double correlation DLTS method using a selective lock-in amplifier is exposed The interest of this method for determining the signature of the defects and their spatial depth profiles is explained An application to oxygen multi-implanted GaAs sample is described. A single temperature scanning is needed to obtain the deconvolution of the three peaks of the observed spectrum. This operation permits to determine the « signature » and the activation energy of the corresponding defects.