1 Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», 2 Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Беларусь, ОАО «ОКБ-Планета»Представлены результаты исследова-ний кинетики формирования и струк-туры слоев мезопористого кремния, полученных методом электрохимиче-ского анодирования в электролите на основе 12%−ного водного раствора фтористо−водородной кислоты. Элек-тролит состоял только из деионизо-ванной воды и фтористо−водородной кислоты и не содержал никаких орга-нических добавок для того, чтобы ис-ключить загрязнение пористого крем-ния углеродом в процессе анодирова-ния. Все эксперименты выполнены на целых пластинах кремния диаметром 100 мм, а не на образцах небольшого размера, которые часто используют для экономии кремния. В качестве исходных подложек использованы пластины монокристаллического кремния марки КЭС−0,01, вырезанные из слитков, полученных методом Чох-ральского. Определены зависимости толщины слоев пористого кремния, его скоро-сти роста и объемной пористости от плотности анодного тока и времени анодирования. Методом сканирующей электронной микроскопии изучены структура слоев пористого кремния и определены размеры и плотность каналов пор. Найдены режимы по-лучения однородных слоев пористого кремния для их последующего исполь-зования в качестве буферных слоев при эпитаксии.Ключевые слова: пористый кремний, буферный слой, электрохимическое анодирование, плотность тока, пори-стость ВведениеК настоящему времени выпол-нено большое количество работ по формированию пористого кремния (ПК) методом электрохимиче-ского анодирования и изучению физико−химических свойств этого материала. Эти работы были на-чаты еще в 70−х годах прошлого столетия и имели своей целью использование ПК для актива-ции некоторых технологических процессов кремниевой микро-электроники [1]. Исследования ПК получили мощный дополнитель-ный импульс после обнаружения люминесценции ПК в видимой области спектра [2]. Результаты многочисленных исследований ПК представлены в ряде обзорных ра-бот [3][4][5]. Установлено, что в зави-симости от режимов анодирования монокристаллического кремния с различным уровнем легирования и типом проводимости можно по-лучать целое семейство ПК с ши-роким диапазоном вариации раз-меров каналов пор. В соответствии с международной классификацией пористых тел выделяют три клас-са пористого кремния.1. Микропористый кремний (диаметр пор до 2 нм). Мезопористый кремний (диаметр пор от 2 до 50 нм).3. Макропористый кремний (диаметр пор более 50 нм).Одной из перспективных об-ластей использования мезопори-стого кремния является создание буферных слоев для эпитаксиаль-ного роста пленок полупроводни-ковых материалов на подложках кремния. Благоприятное влияние буферного слоя мезопористого кремния было продемонстриро-вано для гомоэпитаксии пленок кремния [6]

No abstract

No abstract

No abstract

No abstract