The generation of microdefects in FZ-silicon during long-time high-temperature processing, necessary for tho production of power devices, has been investigated by etching techniques and transmission electron microscopy. The results prove the defects t o be large precipitates, which may generate dislocations and stacking faults. The

A survey is given of X-ray topographical methods for investigating semiconductor materials. Particulary scanning oscillator technique (SOT) is explained and a camera as practical example given. Application possibilities of SOT are explained.

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Es wird uber die Untersuchung und Identifizierung spezieller Strukturbaufehler in gasdotierten, tiegelfrei zonengezogenen Siliziume+uGhdlen berichtet. A l s Untersuchungsmethoden wurden die metallographische Atztechnik, die Rontgentopographie und die Elektronenstrahlmikroanalyse eingesetzt.Es wurde festgestellt, daB an den untersuchten Kristallbaufehlern Sauerstoffanreicherungen vorliegen. Ein moglicher Bildungsmechanismus derartiger Defekte wird diskutiert.AbschlieBend werden erste Untersuchungsergebnisse uber die Auswirkungen derartiger Baufehler bei der Herstellung v m pn-nbergangen dargelegt.

An keilformigen GaAs-Proben wird fur die Ka,-Wellenliingen von Ag und Mo fur die (220)-Reflexion im Lauefall die Pendellosungsliinge L experimentell bestimmt und unter Verwendung bekannter mathematischer Beziehungen aus der dynamischen Beugungstheorie berechnet. Die 'ifbereinstimmung der Werte ist gut. Der Kontrast der im Topogramm abgebildeten Versetzungen ist von der Probendicke abhlingig. Die keilformigen Proben gestatten die genaue Ermittlung der kritischen Probendicke do fiir den Wechsel der Kontraste zwischen Extinktion und anomaler Absorption und die Bestimmung gunstiger Probendicken im Gebiet des Extinktionskontrastes.The Pendellosung -length L is experimentally determined for wedge-shaped specimens of GaAs for (220)-diffraction and the Laue case for Ka,-wave length of Ag and Mo and calculated using equations of dynamical theory of X-ray diffraction. The agreement of values is well. The dislocation contrast in the topography is dependent on specimen thickness. The wedge-shaped specimens permit exact determination of the critical specimen thickness d o for the contrast change between extinction and anomal absorption and the determination of favourable thickness of specimens in the range of the extinction contrast.