The spectral response of silicon solar cells has been studied under different conditions of excitation. The photocurrent variations are not linear with incident flux, and the minority-carrier diffusion length increases under solar illumination because of trap saturation. It is thus possible to fabricate efficient solar cells with a lower-quality material.

No abstract

Cet article présente les résultats d'études du rôle de l'incorporation d'hydrogène par plasma à 430 °C sur les caractéristiques électriques de photopiles préparées sur rubans RAD. Les performances des photopiles ont été caractérisées par le relevé de caractéristiques I (V) sous différents éclairements et de profils de photoréponse locale obtenus en mode LBIC ; la localisation de l'hydrogène ségrégé a été effectuée par autoradiographie sur des échantillons chargés en tritium. On met en évidence une neutralisation partielle des centres pièges dans le volume du matériau - corroborée par une forte ségrégation de l'hydrogène - et une passivation des interfaces, notamment des sous-joints de grains. Ces travaux montrent que l'incorporation d'hydrogène est envisageable pour améliorer les performances des photopiles RAD

No abstract

Cet article présente les résultats d'une étude exploratoire de la passivation par l'hydrogène des défauts recombinants dans les rubans de silicium polycristallin élaborés par la méthode RAD. L'incorporation d'hydrogène a été effectuée sur des photopiles nues au moyen d'une source d'ions du type Kaufman. On montre que les caractéristiques globales des photopiles — photocourant, tension de circuit ouvert et facteur de forme — sont considérablement améliorées tandis que leurs distributions sont resserrées. Ces améliorations sont reliées à la réduction de la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires sur les interfaces du type joints de grains ou de mâcles et surtout, à l'augmentation de la longueur de diffusion dans les parties homogènes ; ce dernier effet est associé à une réduction importante de l'activité des centres pièges. Ainsi, le rendement de conversion, sous éclairement AM1, des photopiles RAD « passivées » à l'hydrogène peut être relativement élevé : la meilleure photopile ainsi traitée présente un rendement de 15,5 % (surface active, 3 cm 2)