A sub-2Ops silicon bipolar technology has been developed using Selective Epitaxial Growth (SEG) for the active base and collector regions. This transistor concept allows the simultaneous reduction of base width and base/collector capacitance while maintaining low extrinsic base resistance.At a current of 0.8 mA a record CML gate delay time of 18ps is achieved with devices showing a cut-off frequency of 44 GHz. The high-speed capability of this technology has also been shown by a static 2:l frequency divider operating up to 25 GHz.

This paper describes a high performance bipolar process based on bonded SO1 wafers featuring deep trench isolation, double polysilicon self-alignment, and a substrate-erosion free composite spacer scheme. The process provides transistors with excellent dc and ac parameters. Gate delay times of 19.6 ps, powerdelay products of 8.6 fJ, and 2:l frequency dividers operating up to 22.4 GHz are prominent performance data which are -to the authors knowledge -best values ever reported for SOI-based bipolar technologies.

No abstract

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P e r s o n a l -und Hochschulnachrichten kontrainsulare Hormoe, das corticotrope und adrenalotrope Hormon eine Vielheit von Hypophysenwirkstoffen, deren Existenz heute zum Teil angezweifelt wird. Wenn man sich bei der Lektiire der vorliegenden Hefte auf die Kapitel beschrankt, die einer vierjahrigen Entwicklung standgehalten haben, und die Grenzen beriicksichtigt, die ihnen durch das Erscheinungsjahr 1936 gesteckt sind. wird man aus ihnen mancherlei Nutzen haben konnen. U . We8tphal. [BB. 86.1 Methoden z u m Studiurn der Funktionen d e r einzelnen Organe des tierischen