No abstract

Анализируются спектры фототока структур, полученных вакуумным напылением полупрозрачных слоев Ni на химически травленные подложки ряда полупроводников (Si, GaAs, GaP, CdTe и ZnSe) n-типа проводимости. Все структуры обладают фоточувствительностью в области энергий фотонов меньше ширины запрещенной зоны полупроводника при освещении как со стороны никеля, так и со стороны подложки. Оба эти спектральные участки построенные в фаулеровских координатах приводят к одинаковым значениям высоты потенциального барьера для каждого из исследуемых контактов Ni-полупроводник.

Анотація. Представлено результати експериментального дослідження електропровідності співлегованих азотом (до 4,3 атомних %) та алюмінієм (2,4 атомних %) n-типу плівок ZnO:N:Al, осаджених методом високочастотного магнетронного розпилення на підкладках p-Si. З аналізу температурних залежностей питомого опору й енергії рівня Фермі знайдено енергію іонізації і ступінь компенсації домішок (дефектів), відповідальних за електропровідність досліджених зразків.Ключові слова: плівки ZnO, Al-N співлегування, електропровідність, самокомпенсація Abstract. The results of experimental investigation of conductivity of codoped by nitrogen (up to 4.3 atomic %) and by aluminum (2.4 atomic %) n-type ZnO:N:Al films, deposited by radio frequency magnetron sputtering on p-Si substrates, are presented. Using the analysis of temperature dependences of resistivity and of the energy of the Fermi level, the ionization energy and the degree of compensation

Methods were developed for the synthesis and growth of the inorganic perovskite CsPbBr3, which can be used for detection of optical, x-ray, and γ-radiation. The growth of single crystals of these compounds was carried out by the Bridgman method in quartz ampoules using zone-refined starting materials. The electro-physical properties of the lead cesium tribromide CsPbBr3 were studied. Two types of structures with a Cr/CsPbBr3/Ni rectifying barrier and Ni/CsPbBr3/Ni ohmic contacts were created. The resistivity of the semiconductor material (ρ≈7×109 Ohm•cm) and the activation energy of the dark conductivity (▵E≈0.8 eV) were determined. From the measurements of the optical transmission spectra, the energy gap of CsPbBr3 at 300 K was found to be Еg = 2.27 eV. The temperature dependence of the forbidden gap (Eg(T) = 2.4 - 4*10-4 T, eV) was also determined. A significant increase in photosensitivity for the Cr/CsPbBr3/Ni structure was observed at elevated temperatures. The Cr/CsPbBr3/Ni structures were shown to be sensitive to γ radiation. The FWHM of the energy resolution for an 241Am source was measured to be 15.8 keV.