The paper discusses the advantages and disadvantages of the most used today semiconductor materials of different structural perfection (single crystals, polycrystalline and amorphous) to create solar cells. The main attention is paid to the study of the possibilities of using surface-barrier diodes (SBD) as photoconverters based on single-crystal cadmium telluride. A number of technological methods for modifying n-CdTe substrates are analyzed, which lead to a significant improvement in the electrical and photoelectric parameters and characteristics of SBD. It is shown that the photoconversion efficiency of SBD based on substrates with surface nanostructure (CdTe:O 2 ) reaches 13% at 300 K in AM2 lighting conditions. The use of technologies used in the creation of surface-barrier solar cells based on cadmium film telluride is discussed.

No abstract

Анализируются спектры фототока структур, полученных вакуумным напылением полупрозрачных слоев Ni на химически травленные подложки ряда полупроводников (Si, GaAs, GaP, CdTe и ZnSe) n-типа проводимости. Все структуры обладают фоточувствительностью в области энергий фотонов меньше ширины запрещенной зоны полупроводника при освещении как со стороны никеля, так и со стороны подложки. Оба эти спектральные участки построенные в фаулеровских координатах приводят к одинаковым значениям высоты потенциального барьера для каждого из исследуемых контактов Ni-полупроводник.