Интерес к эффектам переключения сопротивления в наноразмерных пленках, как правило, оксидов переходных металлов, возник достаточно давно и стимулирован сравнительно недавней публикацией сотрудников Hewlett-Packard Д.Струкова, Р.C.Вильямса и др. (Nature, 2008), объявивших об обнаружении "неуловимого" мемристора -резистора с памятью (memory resistor), теоретически предсказанного в 1971 году Л.Чуа. Это открыло серьезные перспективы создания резистивной памяти произвольного доступа (ReRAM), в ячейках которой данные сохраняются за счет изменения сопротивления материала, а не электрического заряда. The effects of resistance switching in nanoscale films, as a rule, made of transition metal oxides has long gained considerable interest, which was fostered by a relatively recent publication of Hewlett-Packard's employees, D.Strukov, R.C. Williams, et al. (Nature, 2008), who declared about the discovery of the "ever-elusive" memristor, or memory resistor, which had been theoretically predicted in 1971 by L. Chua. This opened up large prospects for creating resistance based random access memory (ReRAM) with the cells storing data by modifying the resistance of the material rather than an electric charge.