Поступило в Редакцию 16 августа 2018 г. В окончательной редакции 2 ноября 2018 г. Принято к публикации 14 декабря 2018 г.Выполнено моделирование C−V -зависимости для бокового перехода исток−подложка транзистора металл−нитрид−оксид−полупроводник. Встраивание локального ловушечного заряда в нитридный слой приводит к аномальному скачку или спаду емкости перехода при определенных напряжениях на переходе, зависящих от концентрации легирующей примеси в подложке. Такое изменение емкости связано с перераспределением носителей заряда в приповерхностной области подложки, вызванным встраиванием локального заряда. Данная особенность поведения вольт-фарадной характеристики может быть использована для детектирования локального заряда, встроенного в диэлектрический слой полевого транзистора.

In this paper, we simulated the dependence of the effect of reducing the drain-induced barrier lowering on the thickness of a buried oxide layer in a finned (vertical) metal-oxide-semiconductor field effect transistor (FinFET) based on silicon-on-insulator technology. Three shapes of the fin with the rectangle, trapezoid, and triangle cross sections were considered. The drain-induced barrier lowering effect significantly depends on both the fin shape and the thickness of the buried oxide layer. The smallest drain-induced barrier lowering effect occurs when the thickness of the buried oxide layer is small for the fin of a triangular shape. This behavior of the drain-induced barrier lowering effect is strongly correlated with the behavior of the parasitic capacitance between a gate and a source.