R6sumS -On a effect& llinterprGtation des Btats electroniques dans la bande de valence et la bande de conduction du Si3N4 amorphe et on a Btabli le diagramme des 6nergies d'aprss les spectres d'Bmission et le rendement quantique de SiK -, SiL2 3 -, NK en combinaison avec les donnees de la spectroscopie des photo6lectrons de rayons X des couches internes et de la bande de valence.Abstract -There is performed interpretation of electronic states $n valence and conduction bands of amorphous Si3N4 and constructed an energy diagram of electronic levels using Xray SiK -, SiLg3 -, NKemission and quantum yield spectra

No abstract

No abstract

Экспериментально измерена релаксация тока в структуре металл−нитрид−оксид−полупроводник. Эксперимент сравнивается с расчетом, основанным на двухзонной модели проводимости и многофононном механизме ионизации ловушек. Из сравнения эксперимента с расчетом для величины сечения рекомбинации получена оценка сверху, которая составила 5 • 10 −13 cm 2 .