Проведены высокочастотные измерения емкости и проводимости объектов Ni-Ba0.8Sr0.2TiO_3-Pt и Ni-Ba0.8Sr0.2TiO_3-Si с толщиной сегнетоэлектрика 120 nm в параэлектрической фазе. Показано, что во всем диапазоне внешних напряжений электрическое поле в Si практически не проникает. Подтвержден сделанный ранее вывод о причинах слабого проявления эффекта поля --- происходит практически полное экранирование поляризации сегнетоэлектрического слоя зарядами электронных ловушек на контакте Ba0.8Sr0.2TiO_3-Si. Отмечено, что резкое снижение за счет пассивации активности поверхностных ловушек позволит реализовать транзисторы на базе структур металл-BST-Si с работающим поверхностным каналом неосновных носителей заряда и обеспечит построение высококачественных ячеек энергонезависимой памяти FeRAM. Ключевые слова: металл--диэлектрик--полупроводник-структуры, металл--диэлектрик--металл-структуры, сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3, высокочастотный импеданс.

Методом высокочастотного распыления получены тонкие пленки Bax Sr 1−x TiO 3 на (111)Pt/(100)Si и SiOx /(100)Si подложках. Установлено, что синтезированные пленки однофазны, обладают поликристал-лической структурой. Показано, что подслой платины оказывает влияние на значения шероховатости, средний размер зерен и величину локальной поляризации в тонких пленках Bax Sr 1−x TiO 3 . Обсуждаются возможные механизмы полученных результатов, связанных с проводимостью межзеренных границ и природой взаимодействия сегнетоэлектрической пленки с подложкой.Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (гранты № 16-07-00665 и 16-07-00666) и Программы фундаментальных исследований Президиума РАН " Наноструктуры: физика, химия, биология, основы технологий".

Пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3 (BST 80/20) синтезированы на кремниевой подложке методом высокочастотного распыления поликристаллической мишени. Представлены результаты исследований состава пленок, электрофизических свойств конденсаторных структур на их основе и зависимости этих свойств от материала верхнего электрода (Al, Cu, Ni, Cr). Ключевые слова: структуры металл--диэлектрик--полупроводник, сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3, микроструктура, электрофизические свойства.

The paper shows the effect of synthesis temperature on the microstructure and electrophysical properties of ferroelectric films of composition Ba0.8Sr0.2TiO3 when formed on silicon substrates with a platinum sublayer. On the basis of electrophysical and topographical measurements, a conclusion is made about the effect of the temperature of synthesis of ferroelectric films on their properties.

Для параэлектрического состояния получены феноменологические аналитические выражения, связывающие емкость сегнетоэлектрической пленки с коэффициентами разложения свободной энергии по степеням поляризации вещества. При температурах выше точки перехода из сегнетоэлектрической фазы в параэлектрическую проведены измерения высокочастотных вольт-фарадных характеристик структур металл-Ba0.8Sr0.2TiO3-металл. Из сопоставления теоретических и экспериментальных данных построены зависимости поляризации пленки Ba0.8Sr0.2TiO3 от внешнего напряжения и определены значения параметров теории фазовых переходов второго рода Гинзбурга-Ландау для исследованных объектов. Ключевые слова: структуры металл-диэлектрик-металл, сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3, высокочастотные вольт-фарадные характеристики, емкость.