The paper shows the effect of synthesis temperature on the microstructure and electrophysical properties of ferroelectric films of composition Ba0.8Sr0.2TiO3 when formed on silicon substrates with a platinum sublayer. On the basis of electrophysical and topographical measurements, a conclusion is made about the effect of the temperature of synthesis of ferroelectric films on their properties.

Проведены высокочастотные измерения емкости и проводимости объектов Ni-Ba0.8Sr0.2TiO_3-Pt и Ni-Ba0.8Sr0.2TiO_3-Si с толщиной сегнетоэлектрика 120 nm в параэлектрической фазе. Показано, что во всем диапазоне внешних напряжений электрическое поле в Si практически не проникает. Подтвержден сделанный ранее вывод о причинах слабого проявления эффекта поля --- происходит практически полное экранирование поляризации сегнетоэлектрического слоя зарядами электронных ловушек на контакте Ba0.8Sr0.2TiO_3-Si. Отмечено, что резкое снижение за счет пассивации активности поверхностных ловушек позволит реализовать транзисторы на базе структур металл-BST-Si с работающим поверхностным каналом неосновных носителей заряда и обеспечит построение высококачественных ячеек энергонезависимой памяти FeRAM. Ключевые слова: металл--диэлектрик--полупроводник-структуры, металл--диэлектрик--металл-структуры, сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3, высокочастотный импеданс.

Методом высокочастотного распыления получены тонкие пленки Bax Sr 1−x TiO 3 на (111)Pt/(100)Si и SiOx /(100)Si подложках. Установлено, что синтезированные пленки однофазны, обладают поликристал-лической структурой. Показано, что подслой платины оказывает влияние на значения шероховатости, средний размер зерен и величину локальной поляризации в тонких пленках Bax Sr 1−x TiO 3 . Обсуждаются возможные механизмы полученных результатов, связанных с проводимостью межзеренных границ и природой взаимодействия сегнетоэлектрической пленки с подложкой.Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (гранты № 16-07-00665 и 16-07-00666) и Программы фундаментальных исследований Президиума РАН " Наноструктуры: физика, химия, биология, основы технологий".

Пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3 (BST 80/20) синтезированы на кремниевой подложке методом высокочастотного распыления поликристаллической мишени. Представлены результаты исследований состава пленок, электрофизических свойств конденсаторных структур на их основе и зависимости этих свойств от материала верхнего электрода (Al, Cu, Ni, Cr). Ключевые слова: структуры металл--диэлектрик--полупроводник, сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3, микроструктура, электрофизические свойства.

Для параэлектрического состояния получены феноменологические аналитические выражения, связывающие емкость сегнетоэлектрической пленки с коэффициентами разложения свободной энергии по степеням поляризации вещества. При температурах выше точки перехода из сегнетоэлектрической фазы в параэлектрическую проведены измерения высокочастотных вольт-фарадных характеристик структур металл-Ba0.8Sr0.2TiO3-металл. Из сопоставления теоретических и экспериментальных данных построены зависимости поляризации пленки Ba0.8Sr0.2TiO3 от внешнего напряжения и определены значения параметров теории фазовых переходов второго рода Гинзбурга-Ландау для исследованных объектов. Ключевые слова: структуры металл-диэлектрик-металл, сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3, высокочастотные вольт-фарадные характеристики, емкость.