The radiation resistance to gamma irradiation of various dose levels (0.5 kGy, 2 kGy, 10 kGy) of a subterahertz radiation source from a heterodyne on a Gunn diode and a GaAs / AlAs semiconductor superlattice multiplier was estimated. A measuring chamber for studying the radiation resistance of Gunn diodes has been developed and manufactured. The dependence of the output power on the frequency of a sub-terahertz radiation source before and after irradiation was evaluated analytically.

Ранее для изготовления смесительных диодов нами применялись GaAs/AlAs сверхрешетки с малой площадью активной области (~1 мкм2), и была установлена возможность их эффективного применения в терагерцовом диапазоне частот. Теоретически и экспериментально было показано, что на частотах до 5.3 ТГц малопериодные (содержащие небольшое число периодов) сверхрешетки в составе гармонических смесителей проявляют существенные преимущества по сравнению с многопериодными, т. е. содержащими 50-100 и больше периодов. В данной работе проведена оптимизация конструкции сверхрешеток и показано, что эффективность работы малопериодных сверхрешеток во многом определяется переходными областями, расположенными на ее краях. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45097.11