Analysis of thin-film PZT/LNO stacks on an encapsulated TiN electrode

Kaleli, B.; Nguyen, Minh D.; Schmitz, Jurriaan; Wolters, R.A.M.; Hueting, R.J.E.

doi:10.1016/j.mee.2014.02.012

Cited by 14 publications

(10 citation statements)

References 38 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…In our case, the remnant polarization obtainedishigher than the value of 18.2 µC/cm 2 , as reported on LNO/Si substrate [14]. Othergroupshave also reported that the remnant polarizations were about 19.2 µC/cm 2 and 13.2 µC/cm 2 when the PZT thin films deposited on LNO/poly-Si/titanium nitride (TiN)/SiO 2 /Si wafer and LNO/SiO 2 /Si substrate, respectively [15,16]. Thus, it should be convinced thatthe PZT thin film deposited on LNO/Al foil at the annealing temperature of 600 o C possesses high remnant polarization enough for application of ferroelectric devices.…”

Section: Resultssupporting

confidence: 70%

Conductive-perovskite LaNiO3 thin films prepared by using solution process for electrode application

Trinh¹

2018

MaP

View full text Add to dashboard Cite

Lanthanum nickel oxide LaNiO 3 (LNO) isextensively known as one of typical perovskite-structured materials with metallic conductivity, which is suitable for the electrode application in electronic devices such as transistors or solar cells. Since LNO is a low-cost material and a simple fabrication process, it has been attracted much attention for commercialization. In this paper, we have focused on optimizing the fabrication process of LNO thin films on SiO 2 /Sisubstrate and Al foil by using asolution process. The crystal structure and surface morphology were characterized by using X-ray diffraction and field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), respectively. It was found that the LNO thin films annealed in range of 550-700 o C for 30 minutes exhibited a well-formed crystallization and a dense microstructure. According to the SEM cross-sectional observation, the thickness of LNO thin films was estimated about 80 nm. Also, from the four-probe measurement method, the electrical resistivity of LNO thin film annealed at 600 o C had a minimum value of 0.42× 10 -2 Ωcm, which waspossibly comparable to conventional conductive oxides. As a result, thecapacitor using Pb 1.2 (Zr 0.4 Ti 0.6 )O 3 ferroelectric layer annealed at 600 o C and LNO bottom electrode providedan interesting ferroelectricity, which includeda remnant polarization of 21µC/cm 2 and a saturated polarization of 35µC/cm 2 . Moreover, the leakage current density was lower than 2 × 10 -5 A/cm 2 .

show abstract

Section: Resultssupporting

confidence: 70%

Conductive-perovskite LaNiO3 thin films prepared by using solution process for electrode application

Trinh¹

2018

MaP

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…The measured effective permittivity of the dielectric stack increased with thickness with signs of saturation at larger thicknesses. Such a response has commonly been reported for thin ferroelectric films [29][30][31][32][33] and has been ascribed to the presence of a thin "dead layer" with a low permittivity at the electrodeferroelectric interface resulting in a series capacitor with an increasing influence as the thickness of the dielectric is reduced. This additional interfacial capacitor can be linked to a finite potential across the charge at the interface, either due to screening effects by the metallic electrode [29] or, more likely, to internal screening by a space charge layer of mobile oxygen vacancies [33].…”

Section: B Thickness Dependence Of Permittivity and Loss Tangentmentioning

confidence: 54%

Microwave Characterization of Ba-Substituted PZT and ZnO Thin Films

Tierno

Dekkers

Wittendorp

et al. 2018

IEEE Trans. Ultrason., Ferroelect., Freq. Contr.

View full text Add to dashboard Cite

The microwave dielectric properties of (BaPb)(ZrTi)O (BPZT) and ZnO thin films with thicknesses below were investigated. No significant dielectric relaxation was observed for both BPZT and ZnO up to 30 GHz. The intrinsic dielectric constant of BPZT was as high as 980 at 30 GHz. The absence of strong dielectric dispersion and loss peaks in the studied frequency range can be linked to the small grain diameters in these ultrathin films.

show abstract

“…Влияние нарушенных слоев на диэлектрические свойства конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических пленок где С -емкость всей структуры; С δ1,2 -емкость нарушенного слоя; С b -емкость объема пленки. Соответствие уравнения (1) наблюдаемым экспериментальным зависимостям было продемонстрировано во множестве работ [4][5][6][7][8][9][10][11][12] и не вызывает сомнений, в то время как природа этих слоев пока не до конца ясна. Взгляды на то, что физически представляет собой так называемые «мертвые» слои и действительно ли такие слои существуют, разделены.…”

Section: Introductionunclassified

“…Одни авторы утверждают [6][7][8], что слои с низкой диэлектрической проницаемостью являются неизбежным следствием физики контакта сегнетоэлектрик-металл и это имеет фундаментальные причины. Среди возможных конкретных причин называют такие явления, как эффект Кретчмера-Биндера [6,8], экранирование Томаса-Ферми [8], барьер Шоттки [9,10]. По мнению других авторов [4,11,12], причина возникновения нарушенных слоев -в большой плотности дефектов в сегнетоэлектрических пленках вблизи электрода, например, вследствие несоответствий параметров кристаллической решетки пленки и подложки, дефектообразования в процессе роста и других явлений.…”

Section: Introductionunclassified

Влияние Нарушенных Слоев На Диэлектрические Свойства Конденсаторных Структур На Основе Сегнетоэлектрических Пленок

Lavrov¹

2016

Российский технологический журнал

View full text Add to dashboard Cite

Конденсаторные сегнетоэлектрические структуры являются основой многих современных устройств микроэлектроники, в том числе энергонезависимой памяти, пьезоэлектрических микро-актюаторов, датчиков и пр. Тенденция миниатюризации подобных устройств, требует уменьшения толщины сегнетоэлектрического слоя, что приводит к снижению важнейших характеристик сегнетоэлектрических структур, таких как диэлектрическая проницаемость, остаточная поляризация, температура Кюри и др. Подобные толщинные зависимости, как правило, интерпретируют в рамках модели «нарушенного слоя», предполагающей существование несегнетоэлектрических нарушенных, «мертвых» слоев постоянной толщины на границе сегнетоэлектрик-металл. В данной работе исследованы диэлектрические характеристики конденсаторных структур на основе плотных и пористых пленок цирконата-титаната свинца (ЦТС) различной толщины. Проведено моделирование зависимостей диэлектрической проницаемости от толщины с учетом нарушенных слоев, определена оптимальная методика моделирования.

show abstract

Analysis of thin-film PZT/LNO stacks on an encapsulated TiN electrode

Cited by 14 publications

References 38 publications

Conductive-perovskite LaNiO3 thin films prepared by using solution process for electrode application

Conductive-perovskite LaNiO3 thin films prepared by using solution process for electrode application

Microwave Characterization of Ba-Substituted PZT and ZnO Thin Films

Влияние Нарушенных Слоев На Диэлектрические Свойства Конденсаторных Структур На Основе Сегнетоэлектрических Пленок

Contact Info

Product

Resources

About