Capacitance-voltage characteristics of Al/Al2O3/p-GaAs metal-oxide-semiconductor diodes

Abstract

Metal-oxide-semiconductor (MOS) diodes were constructed on p-type GaAs by means of anodic oxidation of aluminum film evaporated on GaAs. By terminating the oxidation precisely at the Al-GaAs interface, MOS diodes in which the capacitance at low frequency increases in the positive-bias region were obtained. The interface state density determined by using the Terman method based on 1-MHz measurement of the C-V characteristics is on the order of 1010 cm−2 eV−1.

Caractérisation physico-chimique et électrique de structures fluorure — semi-conducteur III-V (passivation de GaAs et InP)

“…consacrés à la passivation des composés III-V. Si les premières publications mettaient en évidence une importante densité (Nss ) d'états localisés, situés dans la bande interdite des semi-conducteurs, près de l'interface [1][2][3], récemment, grâce en particulier à des traitements de surface, à des techniques douces de déposition ou d'« oxydation », de bien meilleurs résultats ont été obtenus, principalement avec InP et des isolants « classiques » : oxydes, nitrures, sulfures, ... Dans ce cas Nss est communément de l'ordre de 1012 eV-1 cm-2. Une intéressante synthèse de ces travaux a fait l'objet des « Journées Epitaxie et Passivation des Composés III-V » [4].…”