Dependence of the threshold voltage in indium-phosphide pore formation on the electrolyte composition

Sychikova, Ya. A.; Кідалов, В. В.; Sukach, G. A.

doi:10.1134/s1027451013030130

Cited by 22 publications

(9 citation statements)

References 12 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Order By: Relevance

“…It was shown in papers [40,41] that there is always a minimum value for anodization voltage, at which the formation of a porous layer on the surface of semiconductors of group A3B5 becomes possible. To determine this magnitude, the authors of study [41] proposed a method, which is characterized by a gradual increase in voltage during etching. It was established that this magnitude is specific for each particular case and depends on other etching conditions.…”

Section: Literature Review and Problem Statementmentioning

confidence: 99%

Research into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenide

Vambol

Богданов

Vambol

et al. 2017

EEJET

View full text Add to dashboard Cite

Section: Literature Review and Problem Statementmentioning

confidence: 99%

Research into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenide

Vambol

Богданов

Vambol

et al. 2017

EEJET

View full text Add to dashboard Cite

“…Technologies for the use of binary semiconductors have also become widespread [9,10]. Semiconductors of the A3B5 group, namely InP [11,12], GaAs [13,14] and GaP [15,16] have become the main materials in the laser [17,18] and sensor [19,20] industries. They are also widely used in solar energy [21,22].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Nanostructures on the ZnSe Surface: Synthesis, Morphological and Photoluminescent Properties

Suchikova

Lazarenko

Ковачов

et al. 2021

Phys. Chem. Solid St.

View full text Add to dashboard Cite

Nanostructured zinc selenide has been obtained by electrochemical etching with an H2SO4:H2O:H2O5OH=4:1:1 solution used as the electrolyte. The experiment has indicated that the surface consists of two phases, namely the upper layer made up of a dense oxide film and a low-sized porous layer underneath, with a pore diameter of (30-80) nm and a thickness of interporous walls of (15-50) nm. The investigated dependence of surface porosity on the etching time allows us to explain the main stages of the crystal’s electrochemical dissolution during anodizing. The experiment has indicated the presence of three main stages, such as the formation of the Gouy and Helmholtz layers at the semiconductor/electrolyte segregation; pore formation at defect and oxide crystallite locations; spontaneous pore formation. The PL spectra of the samples under study have demonstrated three maxima. The emission band at 2.45 eV is attributable to the presence of oxides, the band at 2.78 EV can be accounted for the corresponding excitons while the band at 2.82 eV stems from quantum-dimensional effects. Chemical analysis of the samples has also indicated the presence of oxides on the surface of the nanostructure.

show abstract

“…In addition, existence of quantum-dimensional effects is observed in porous structures [21]. This property causes a shift of photoluminescence peaks to the short-wave part of the spectrum [22]. This effect becomes useful for application of porous layers in the laser technology [23,24].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Forming the lowporous layers of indium phosphide with the predefined quality level

Vambol

Богданов

Vambol

et al. 2018

EEJET

View full text Add to dashboard Cite

Для можливості формування наноструктурованих шарів на поверхні напівпровідників із регульованими властивостями розроблено морфологічний критерій якості. Отримано шари низькопоруватого фосфіду індію з мезопоруватою структурою. Поруваті шари формувалися методом електрохімічного травлення у розчині соляної кислоти при постійній щільності струму. За розробленим критерієм проаналізовано якість синтезованих зразків por-InP. Це дозволить виготовляти структури з поруватими шарами на поверхні у промислових масштабах. Представлений критерій може бути застосованим для інших режимів обробки фосфіду індію, або для інших напівпровідників. Це дозволяє розглядати його як універсальний морфологічний критерій якості поруватих структур. Встановлено кореляцію між морфологічними властивостями поруватих структур на поверхні фосфіду індію та умовами травлення. Для цього було проаналізовано поруваті структури, які формувалися у інтервалі часу травлення від 10 до 20 хв при різній концентрації кислоти у електроліті. У результаті встановлено, що форма пор наноструктурованих шарів на поверхні напівпровідників залежить не лише від параметрів кристалу, а й від умов травлення, зокрема від часу травлення та складу електроліту. Застосування насичених електролітів призводить до формування масивних пор, які мають форму канавок -витягнуті еліпси. Отримані кореляції є корисними з практичної точки зору, тому що дозволяють обґрунтовано підходити до визначення режимів електрохімічної обробки напівпровідників. Крім того, це відкриває нові перспективи у побудові моделі самоорганізації поруватої структури на поверхні напівпровідників. Представлено методику розрахунку основних статистичних характеристик ряду розподілу пор за розміром, зокрема розмах варіації, дисперсію,середньоквадратичне відхилення, коефіцієнти варіації та асиметрії. Це дозволяє більш детально оцінювати морфологічні показники поруватих структур та просунутися у розумінні механізмів, що лежать в основі пороутворення на поверхні напівпровідників під час електрохімічної обробкиКлючові слова: фосфід індію, електрохімічне травлення, морфологічні показники, поруваті напівпровідники, критерій якості UDC 621.315.592

show abstract

Dependence of the threshold voltage in indium-phosphide pore formation on the electrolyte composition

Cited by 22 publications

References 12 publications

Research into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenide

Research into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenide

Nanostructures on the ZnSe Surface: Synthesis, Morphological and Photoluminescent Properties

Forming the lowporous layers of indium phosphide with the predefined quality level

Contact Info

Product

Resources

About

Dependence of the threshold voltage in indium-phosphide pore formation on the electrolyte composition

Cited by 22 publications

References 12 publications

Research into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenide

Research into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenide

Nanostructures on the ZnSe Surface: Synthesis, Morphological and Photoluminescent Properties

Forming the low­porous layers of indium phosphide with the predefined quality level

Contact Info

Product

Resources

About

Forming the lowporous layers of indium phosphide with the predefined quality level