Dielectric relaxation of fullerene C60-containing nanocomposites based on poly(phenylene oxide)

Никонорова, Н. И.; Polotskaya, G. A.; Кононов, А. А.; Hinderliter, Brian; Levine, Kirill L.; Castro, R. A.

doi:10.1016/j.jnoncrysol.2018.01.008

Cited by 9 publications

(5 citation statements)

References 24 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…В настоящей работе представлены результаты иссле-дования образцов следующего состава: ПФО/C 60(1%) , ПФО/C 60(8%) , ПФО/Fe@C 60(1%) и чистого ПФО. Выбор образцов определялся именно тем обстоятельством, что для ПФО/C 60(1%) и ПФО/Fe@C 60(1%) наполнитель находится в матрице полимера в молекулярно-диспергированном виде, когда между молекулами полимера и наполнителя есть химическая связь [8,9]. Дальнейшее увеличение содержания наполнителя (уже при 4%) приводит к формированию кластеров фуллерена, которых в пленке ПФО/C 60(8%) будет заведомо больше.…”

Section: методика экспериментаunclassified

“…В области низких частот ( f < 10 1 Hz) в материале активировано максимальное число процессов поляризации, при этом пространственное движение заряженных частиц в почти постоянном (квазистационарном) электрическом поле ограничено потенциальными барьерами и дефектами структуры, которые препятствуют переносу электрических зарядов от электрода к электроду. При 250°С 150°С f, Hz [8,9]. Данное явление называется релаксацией проводимости.…”

Section: результаты и обсуждениеunclassified

See 1 more Smart Citation

Особенности Процессов Переноса Заряда В Нанокомпозитах На Основе Полифениленоксида С Фуллереном И эндофуллереном

Кононов¹,

Никонорова²,

Кастро³

2021

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

The paper presents the results of studying the processes of electric charge transfer in polymer nanocomposites based on polyphenylene oxide with fullerene C60 (1% and 8%) and with endometallofullerene Fe@C60 (1%) as nanofillers. The existing theoretical models were used to calculate the values of the charge transfer parameters, such as the carrier concentration N, the mean free path Rω, and the height of the potential barrier W. The conductivity type was determined for all samples by analyzing the temperature dependences of the exponent s.

show abstract

Section: методика экспериментаunclassified

Section: результаты и обсуждениеunclassified

Особенности Процессов Переноса Заряда В Нанокомпозитах На Основе Полифениленоксида С Фуллереном И эндофуллереном

Кононов¹,

Никонорова²,

Кастро³

2021

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…In this case, as follows from Equation (2), with increasing temperature, the relaxation time decreases exponentially, and the activation energy does not show any dependence on temperature. [ 8,9 ] Based on the temperature dependence of the relaxation time τ max (Figure 2), the activation energy of the observed relaxation process was calculated to be E a = (0.21 ± 0.01) eV.…”

Section: Dielectric Relaxationmentioning

confidence: 99%

Dielectric Relaxation and Charge Transfer in Amorphous MoS₂ Thin Films

Кононов

Castro

Glavnaya

et al. 2020

Physica Status Solidi (b)

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

The results of a study on dielectric relaxation and charge transfer in thin layers of amorphous MoS2 using dielectric spectroscopy are presented. Both dipole‐relaxation polarization and hopping charge transfer have been observed. The activation energies of the relaxation process Ea and conductivity Eσ have been calculated and found to be approximately equal; therefore, it is assumed that the two processes are based on the same underlying charge transfer mechanism.

show abstract

“…Вследствие тепловых флуктуаций диполь может с вероятностью e −Ea /kT перейти в другое положение равновесия. При этом, как следует из формулы (8), время релаксации экспоненциально убывает с ростом температуры, а энергия активации не зависит от температуры [11,12].…”

Section: диэлектрическая релаксацияunclassified

Поляризационные процессы в тонких слоях аморфного MoS-=SUB=-2-=/SUB=-, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления

Кононов¹,

Арата²,

Главная³

et al. 2020

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Поступила в Редакцию 13 января 2020 г. В окончательной редакции 17 января 2020 г. Принята к публикации 17 января 2020 г.Представлены результаты исследования поляризационных процессов в тонких слоях аморфного дисульфида молибдена MoS 2 методом диэлектрической спектроскопии. Обнаружен процесс дипольно-релаксационной поляризации, произведен расчет микропараметров системы, определено время релаксации процесса дипольной поляризации, а также энергия активации релаксационного процесса Ea и энергия активации проводимости Eσ . Схожесть значений энергии активации релаксационного процесса Ea и процесса переноса заряда Eσ позволяет предположить, что оба процесса появляются в системе благодаря одному и тому же механизму переноса.Ключевые слова: дисульфид молибдена, дихалькогениды переходных металлов, процессы переноса.

show abstract

Dielectric relaxation of fullerene C60-containing nanocomposites based on poly(phenylene oxide)

Cited by 9 publications

References 24 publications

Особенности Процессов Переноса Заряда В Нанокомпозитах На Основе Полифениленоксида С Фуллереном И эндофуллереном

Особенности Процессов Переноса Заряда В Нанокомпозитах На Основе Полифениленоксида С Фуллереном И эндофуллереном

Dielectric Relaxation and Charge Transfer in Amorphous MoS₂ Thin Films

Поляризационные процессы в тонких слоях аморфного MoS-=SUB=-2-=/SUB=-, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления

Contact Info

Product

Resources

About

Dielectric relaxation of fullerene C60-containing nanocomposites based on poly(phenylene oxide)

Cited by 9 publications

References 24 publications

Особенности Процессов Переноса Заряда В Нанокомпозитах На Основе Полифениленоксида С Фуллереном И эндофуллереном

Особенности Процессов Переноса Заряда В Нанокомпозитах На Основе Полифениленоксида С Фуллереном И эндофуллереном

Dielectric Relaxation and Charge Transfer in Amorphous MoS2 Thin Films

Поляризационные процессы в тонких слоях аморфного MoS-=SUB=-2-=/SUB=-, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления

Contact Info

Product

Resources

About

Dielectric Relaxation and Charge Transfer in Amorphous MoS₂ Thin Films