Dual-frequency modified
            <i>C/V</i>
            technique

Lønnum, L.F.; Johannessen, J. S.

doi:10.1049/el:19860310

Cited by 32 publications

(20 citation statements)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…For the experiment, 4-inch n-type Si(100) wafers with ~1×10 16 junctions), the temperature range in activation-energy measurements was 300 K to 400 K.…”

Section: Methodsmentioning

confidence: 99%

“…The barrier height can also be determined with C-V measurements, in which the capacitance of a sample is determined through the measured impedance using a suitable equivalent circuit [15]. However, it has been shown that C-V measurements with a single alternating-current (AC) frequency often produce inaccurate results, and multiple-frequency measurements should be used to account for series resistances [16]. In this paper, impedance spectroscopy between 500Hz…”

Section: A Al/s-passivated N-type Si(100) Junctionsmentioning

confidence: 99%

See 1 more Smart Citation

Characterization of Al/Si junctions on Si(100) wafers with chemical vapor deposition-based sulfur passivation

et al. 2014

View full text Add to dashboard Cite

Chemical vapor deposition based sulfur passivation using hydrogen sulfide is carried out on both n-type and p-typeSi(100) wafers. Al contacts are fabricated on sulfur-passivated Si(100) wafers and the resultant Schottky barriers are characterized with current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and activation-energy methods. Al/S-passivated n-type Si (100) junctions exhibit ohmic behavior with a barrier height of less than 0.078 eV by the I-V method and significantly lower than 0.08 eV by the activation-energy method. For Al/S-passivated p-type Si(100) junctions, the barrier height is ~0.77 eV by I-V and activation-energy methods and 1.14 eV by the C-V method. The discrepancy between C-V and other methods is explained by image-force induced barrier lowering and edge-leakage current. The I-V behavior of an Al/S-passivated p-type Si(100) junction remains largely unchanged after 300°C annealing in air.It is also discovered that heating the S-passivated Si(100) wafer before Al deposition significantly improves the thermal stability of an Al/S-passivated n-type Si(100) junction to 500°C.

show abstract

“…For the experiment, 4-inch n-type Si(100) wafers with ~1×10 16 junctions), the temperature range in activation-energy measurements was 300 K to 400 K.…”

Section: Methodsmentioning

confidence: 99%

Section: A Al/s-passivated N-type Si(100) Junctionsmentioning

confidence: 99%

Characterization of Al/Si junctions on Si(100) wafers with chemical vapor deposition-based sulfur passivation

et al. 2014

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Мы полагаем, что для частот, на которых проводи-лись измерения, перезарядка поверхностных состояний и генерация-рекомбинация неосновных носителей заряда не успевают откликаться на колебания внешнего напря-жения. Высокочастотная емкостьC, отвечающая поверх-ностному заряженному слою полупроводника и изоли-рующему промежутку, а также проводимость полупро-водниковой подложки ρ b определялись в соответствии с работами [10,12] …”

Section: рис 2 высокочастотные полевые зависимости емкостиC(vg )unclassified

“…Есть несколько особенностей исследований свойств ГР полупроводник−диэлектрик на основе полевых зави-симостей высокочастотной емкости структур со сверх-тонкими изолирующими слоями по сравнению со сло-ями относительно толстыx объектов [10]. Во-первых, это необходимость учета возможного проявления вкла-дов проводимости полупроводниковой подложки, тун-нельных токов через окисел и процессов генерации неосновных носителей заряда.…”

unclassified

“…Как показано в указанной работе, величина активной составляющей импеданса этих образцов лежит вне области допустимых измерений, а в емкостных характеристиках из особенностей для сверхтонких изо-ляторов проявляется только сопротивление полупровод-никовой части. Это означает, что достаточно измерять полевые характеристики реактивной составляющей им-педанса объектов только на двух высоких частотах и из них определять и проводимость подложки [10,12], и емкость поверхностной заряженной области у ГР полупроводник−диэлектрик.…”

unclassified

See 1 more Smart Citation

Генерация Поверхностных Электронных Состояний На Границе Раздела Кремний-Сверхтонкий Окисел В Процессе Полевого Повреждения Структур Металл-Окисел-Полупроводник

Гольдман¹,

Левашов²,

Нарышкина³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Проведены измерения высокочастотных вольт-фарадных характеристик структур металл-окисел-полупроводник (МОП) на n-Si-МОП подложках с толщиной окисла 39 Angstrem, подвергнутых повреждению при полевом стрессе. Показано, что воздействие на сверхтонкий изолирующий слой сильного, но допробойного, электрического поля приводит к образованию большого числа дополнительных пограничных локализованных электронных состояний с уровнем, отстоящим от дна зоны проводимости кремния на 0.14 эВ. Обнаружено, что перезарядка вновь образованных центров с ростом полевого напряжения обеспечивает накопление у границы раздела кремний-окисел избыточного заряда до 8·1012 см-2. Время жизни, рожденных при полевом воздействии, локальных центров составляет двое суток; после этого зависимости заряда, локализованного на границе раздела полупроводник-диэлектрик, от напряжения на затворе в состояниях до стресса и после стресса практически совпадают. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44881.8512

show abstract

Contribution to the Impedance Analysis of GaAs–Electrolyte Junctions

Nemcsics

1999

phys. stat. sol. (a)

View full text Add to dashboard Cite

We have studied the interaction between GaAs electrodes and several different aqueous electrolytes by impedance analysis. The series resistance of the electrolyte and the roughness of the surface after layer removal were also investigated. Different equivalent networks with physical content were fitted to the experimental spectra. Conclusions were drawn from the choice of the electrolyte and from the choice of an equivalent circuit.

show abstract

Dual-frequency modified C/V technique

Cited by 32 publications

References 0 publications

Characterization of Al/Si junctions on Si(100) wafers with chemical vapor deposition-based sulfur passivation

Characterization of Al/Si junctions on Si(100) wafers with chemical vapor deposition-based sulfur passivation

Contribution to the Impedance Analysis of GaAs–Electrolyte Junctions

Contact Info

Product

Resources

About