Galvanomagnetic Properties of Zn x Hg 1− x Te Solid Solutions

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The dependence of the Hall coefficient and conductivity of mercury telluride crystals on the magnetic field has been investigated at temperatures 4.2,77, and 300 K. The results are explained with the assumption that, the transport phenomena are caused not only by electrons and holes but also by additional low mobility carriers. These additional low mobility carriers are assigned to an impurity band.Es wird die Abhangigkeit des Hallkoeffizienten und der Leitfiihigkeit von Quecksilbertelluridkristallen vom Magnetfeld bei 4,2, 77 und 300 K untersucht. Die Ergebnisse werden mit der Annahme erkliirt, da13 die Transportphlnomene nicht nur von Elektronen und Lochern, sondern auch von zusiitzlichen Ladungstriigern niedriger Beweglichkeit verursacht werden. Diese zusatzlichen Ladungstrager niedriger Beweglichkeit werden einem Stiirleitungsband zugeschrieben.

Galvanomagnetic Properties of HgTe in High Magnetic Field

Zakrzewski

Dziuba

1972

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EPR of Mn²⁺ Ions in Mixed Crystals Zn_w, Hg_1−wSe and Zn_mHg_1−mTe

Leibler

Giriat

Cęllciński

et al. 1973

The results of EPR measurements are presented of mixed crystals Zn,Hgl-,Te and Zn,Hgl-,Se doped with Mn2+. The spectroscopic splitting factor g and the hyperfine structure constant A were determined as a function of the composition of the crystals investigated and measurements are made of electrical conductivity and electron concentration. Es werden die Ergebnisse von EPR-Untersuchungen an ZnmHgl -,Te-und Zn,,Hgl -,Se-Mischkristallen, die mit Mn2+ dotiert waren, mitgeteilt. Der spektroskopische Aufspaltungsfaktor g und die Hyperfeinstrukturkonstante A wurden in Abhangigkeit von der Znsammensetzung der untersuchten Kristalle bestimmt und die elektrische Leitfahigkeit sowie die Elektronenkonzentration bestimmt.

Galvanomagnetic Properties of HgTe in Strong Magnetic Fields

Dziuba

1974

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Results of measurements are presented of the Hall coefficient and conductivity in undoped samples of HgTe in the temperature range 4.2 t o 300 K and magnetic fields up to 30 kG. The results are explained using a three-carrier model of conductivity in conduction band states, valence band states, and impurity states. The temperature dependence of the electron concentration and the contribution to the electrical conductivity of "heavy" carriers are determined.Es werden Ergebnisse von Messungen des Hall-Koeffizienten und der Leitfahigkeit in undotierten Proben von HgTe im Temperaturbereich 4,2 bis 300 K und bei magnetischen Feldern bis zu 30 kG mitgeteilt. Diese Ergebnisse werden mit einem Drei-LadungstragerModel1 der Leitfahigkeit in Leitungsbandzustanden, Valenzbandzustanden und Storstellenzustlinden erklart. Die Temperaturabhangigkeit der Elektronenkonzentration und der Beitrag zur elektrischen Leitfahigkeit Ton schweren Ladungstragern werden bestimmt.