Monolithic regulated self-biased HEMT MMIC's

Kobayashi, K.W.; Esfandiari, R.; Nelson, B.; Minot, K.; Jones, W. Linwood; Biendenbender, M.; Lai, R.; Tan, K. H.; Berenz, J.

doi:10.1109/22.339804

Cited by 13 publications

(3 citation statements)

References 2 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…HEMT-based high speed Integrated Circuits (ICs) and millimeter-wave microwave ICs [1] need to be scaled down to small dimensions for higher performance. In 1994 for the first time [2] a monolithic HEMT IC design was presented, which incorporated active regulated self-bias. The operation frequency of monolithic ICs has recently been extended well into the millimeter-wave range [3,4].…”

Section: Introdcutionmentioning

confidence: 99%

Simulation and optimization of HEMTs

Ilatikhameneh

Ashrafi

Khorasani

2016

2016 3rd International Conference on Advances in Computational Tools for Engineering Applications (ACTEA)

View full text Add to dashboard Cite

We have developed a simulation system for nanoscale high-electron mobility transistors, in which the self-consistent solution of Poisson and Schr\"odinger equations is obtained with the finite element method. We solve the exact set of nonlinear differential equations to obtain electron wave function, electric potential distribution, electron density, Fermi surface energy and current density distribution in the whole body of the device. For more precision, local dependence of carrier mobility on the electric field distribution is considered. We furthermore compare the simulation to a recent experimental measurement and observe perfect agreement. We also propose a graded channel design to improve the transconductance and thereby the threshold frequency of the device.Comment: 8 pages, 19 figure

show abstract

Section: Introdcutionmentioning

confidence: 99%

Simulation and optimization of HEMTs

Ilatikhameneh

Ashrafi

Khorasani

2016

2016 3rd International Conference on Advances in Computational Tools for Engineering Applications (ACTEA)

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Στις τελευταίες ανακοινώσεις που αναφέρονται σε κατανεμημένους ενισχυτές, στους οποίους το ζητούμενο είναι το επίπεδο κέρδος, σε μεγάλα εύρη συχνοτήτων και συγχρόνως η επίτευξη χαμηλού θορύβου, γίνονται πολλές θεωρητικές αναλύσεις [47], [51], [54], [55], [64], [66] - [69] και σχεδιασμός MESFET κατανεμημένων ενισχυτών και γενικότερα, η κατάσταση έχει ώς ακολούθως: Έχει γίνει ανάπτυξη ενός ολοκληρωμένου κυκλώματος κατανεμημένου ενισχυτή στο εύρος ζώνης από 0 έως 36 GHz με κέρδος έως 7 dB και με συντελεστή θορύβου το πολύ 5 dB στις χαμηλές συχνότητες [60] - [63]. Οι περισσότεροι απο αυτούς τους ενισχυτές χρησιμοποιούνται σε SDH οπτικά συστήματα μεταφοράς και μία τεχνική που χρησιμοποιείται είναι η χρήση κατάλληλων τερματισμών υποδοχής και πηγής, ανεξαρτήτων της συχνότητας [65], [69].…”

Section: τα χαρακτηριστικά των μικροκυματικών / χιλιοστομετρικών κυμάτωνunclassified

Βελτιστοποίηση Σχεδιάσης Ενισχυτών Υψηλών Μικροκυματικών Συχνοτήτων Με Τεχνολογίες MMIC Και MIC

Καραγιάννη¹

View full text Add to dashboard Cite

Η εμπειρία που απέκτησα 5 χρόνια τώρα στο Εργαστήριο Μικροκυμάτων και Οπτικών Ινών, οφείλεται στα μέγιστα στον Καθηγητή μου κ. Νικόλαο Ουζούνογλου ο οποίος στάθηκε ο πρώτος άνθρωπος στην επαγγελματική μου καριέρα που μου δίδαξε ότι η θεωρία εφαρμόζεται, δεν είναι ψυχρή, απλά έχει περισσότερη αξία όταν γίνει πείραμα. Επίσης στάθηκε από τους πρώτους ανθρώπους στη ζωή μου που μου επέτρεψε να αναπτύσσω πρωτοβουλία και να αναζητώ τη γνώση σε οποιοδήποτε επίπεδο και οποιαδήποτε κατεύθυνση. Κατά δεύτερο λόγο οφείλεται στις πολύτιμες υποδείξεις των συναδέλφων μου, Δρ. Γιώργου Στρατάκου, Δρ. Ροδούλας Μακρή, Υ.Δ. ΗΜ/ΜΥ Μιχάλη Γαργαλάκου, Υ.Δ. ΗΜ/ΜΥ Πέτρου Τσενέ, ΗΜ/ΜΥ Τάσου Γκαρέτσου, Υ.Δ. ΗΜ/ΜΥ Δημήτρη Οικονόμου και Δρ. Αγγέλου Αμδίτη με τους οποίους, μέσα από τις ατέλειωτες συζητήσεις μας και την άψογη συνεργασία μας σε ανθρώπινο και επιστημονικό επίπεδο καταφέραμε να λειτουργήσουμε σε ένα εργαστήριο καθ' όλα προηγμένο, κάτω από την πολύτιμη καθοδήγηση του Καθηγητή μας κ. Ν. Ουζούνογλου. Ελλείψει αυτού του χώρου θα ήταν αδύνατο να δουλέψουμε σε επίπεδο προσομοίωσης σχεδίασης καθώς και σε κατασκευαστικό επίπεδο. Ο εξοπλισμός του εργαστηρίου, στο λογισμικό, στο υλικό και στα όργανα μέτρησης, ήταν ο ακρογωνιαίος λίθος, εφόσον χωρίς την ύπαρξη του θα ήταν αδύνατον να διαπιστώσουμε τη λειτουργία των σχεδιαστικών κυκλωμάτων. Επίσης, θα ήθελα να ευχαριστήσω τους υπόλοιπους ανθρώπους του χώρου της Πολυτεχνικής Κοινότητας, Καθηγητή Ι. Αβαριτσιώτη, τον Καθηγητή Ι. Παπανάνο και τους συνεργάτες του, καθώς και τους Λέκτορα Δ. Κακλαμάνη, Καθ. Φ. Κωνσταντίνου, Καθ. Κ. Καγκαράκη και Αν. Καθ. Α. Αραπογιάννη (του Πανεπιστημίου Αθηνών), της επταμελούς μου επιτροπής. Από τους υπόλοιπους ανθρώπους που βοήθησαν στην έρευνα δε θα παραλείψω να ευχαριστήσω τον Δρ. Μιχάλη Λαγκαδά από το Ινστιτούτο 'Ερευνας και Τεχνολογίας της Κρήτης καθώς και τον Dr. Paul Malisse του GEC -Marconi Foundry.Οι άνθρωποι που πάνω απ' όλα θέλω να ευχαριστήσω είναι ο αδελφός μου και προπαντός η Μητέρα μου, που με τη σιωπή της και την Πίστη της, μου έμαθε το σπουδαιότερο: "Το μόνο όνειρο που ποτέ δε θα υλοποιήσεις είναι αυτό για το οποίο η επιθυμία σου να πραγματοποιηθεί δεν είναι βαθιά".

show abstract

“…[4] The newly proposed bias circuit can compensate the variation of the threshold voltage differences caused by the process variations, temperature changes and etc.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

A design and fabrication of the receiver one-chip MMIC for L-band

Sang-Moon¹,

Kwon²,

Kim³

et al.

Proceedings 6th Russian-Korean International Symposium on Science and Technology. KORUS-2002 (Cat. No.02EX565)

View full text Add to dashboard Cite

This papei describes a design and fabrication of one-chip receiver M M I C for L-band applications. The LNA; double balanced mixer, LO balun, RF balun, IF amplifier and's bias circuit are integrated a chip. Each balun operates active and composed of MESFETs. The new applied..bias circuit is able to compensate the variation of the threshold voltage caused by the: process variation;! temperature changes, and.etc.The mixer 'achieves the conversion losses of -14dB, IP3 of 4dBm, and port-to-port isoiation over 25dB. The designed chip is fabricated by the ETFU OSpm GaAs MESFET processes. The chip size is 1.4mm.l.4mm.

show abstract

Monolithic regulated self-biased HEMT MMIC's

Cited by 13 publications

References 2 publications

Simulation and optimization of HEMTs

Simulation and optimization of HEMTs

Βελτιστοποίηση Σχεδιάσης Ενισχυτών Υψηλών Μικροκυματικών Συχνοτήτων Με Τεχνολογίες MMIC Και MIC

A design and fabrication of the receiver one-chip MMIC for L-band

Contact Info

Product

Resources

About