Normally-off high-voltage p-GaN gate GaN HFET with carbon-doped buffer

Hilt, Oliver; Brunner, F.; Cho, E.; Knauer, A.; Bahat‐Treidel, Eldad; Würfl, Joachim

doi:10.1109/ispsd.2011.5890835

Cited by 119 publications

(77 citation statements)

References 7 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…This produces a depletion layer which extends from the p-n junction formed by the p-(Al)GaN region and AlGaN barrier layer, thereby depleting the 2-DEG so that normally-off operation can be achieved [11,12]. However, in this structure, the gate bias voltage higher than the built-in p-n potential leads to a large gate leakage current.…”

Section: Normally-off Operationmentioning

confidence: 99%

Current status of GaN power devices

Kachi

2013

IEICE Electron. Express

View full text Add to dashboard Cite

Abstract:The performance of GaN power devices has been rapidly improving. Recently, the main approach is the use of AlGaN/GaN HEMT structures on Si substrates, for which the target breakdown voltage is initially 600 V or less. Although issues still remain with regard to current collapse and the threshold voltage required for normallyoff operation, many companies have announced their intention to commercialize such devices. In this report, recent developments concerning GaN power devices are reviewed, and unresolved issues and future expectations are discussed.

show abstract

Section: Normally-off Operationmentioning

confidence: 99%

Current status of GaN power devices

Kachi

2013

IEICE Electron. Express

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Although researchers have used buffer layers to reduce the lattice constant difference, charge trapping effects lower the electric performance and reproducibility of devices. 16 To improve the performance of GaN-based devices, one should use high-quality crystal GaN substrates. 17 It is difficult to manufacture bulk GaN, because bulk GaN has a high melting point and requires a high equilibrium pressure of N 2 gas.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Evaluation of lattice curvature and crystalline homogeneity for 2-inch GaN homo-epitaxial layer

et al. 2018

View full text Add to dashboard Cite

We evaluated the lattice curvature, crystallinity, and crystalline homogeneity of a GaN layer on a free standing GaN substrate using lattice orientation measurements, θ rocking curves, and reciprocal space mapping from synchrotron X-ray diffraction topography, and X-ray diffraction. The lattice curvature of the 2-inch GaN homo-epitaxial layer was a concave bend, which had a curvature radius of approximately 20.7 m. The GaN layer was epitaxially grown on the GaN substrate and had good crystallinity with a high homogeneity.

show abstract

“…Для создания нормально закрытых GaN-транзисторов чаще всего используют подзатворную область на основе GaN p-типа, легированного магнием (p-GaN) [2,3].…”

Section: Introductionunclassified

Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур

Ерофеев¹,

Федин²,

Федина³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaN/GaN являются перспективной элементной базой для создания устройств силовой электроники следующего поколения. Это обусловлено как высокой подвижностью носителей заряда в канале транзистора, так и высокой электрической прочностью материала, позволяющей достичь высоких напряжений пробоя. Для применения в силовых коммутационных устройствах требуются нормально закрытые GaN-транзисторы, работающие в режиме обогащения. Для создания нормально закрытых GaN-транзисторов чаще всего используют подзатворную область на основе GaN p-типа, легированного магнием (p-GaN). Однако оптимизация толщины эпитаксиального слоя p-GaN и уровня легирования позволяет добиться порогового напряжения отпирания GaN-транзисторов, близкого к Vth=+2 В. В настоящей работе показано, что использование подзатворной МДП-структуры в составе p-GaN-транзистора приводит к увеличению порогового напряжения отпирания до Vth=+6.8 В, которое в широком диапазоне будет определяться толщиной подзатворного диэлектрика. Кроме того, установлено, что использование МДП-структуры приводит к уменьшению начального тока транзистора, а также затворного тока в открытом состоянии, что позволит уменьшить потери энергии при управлении мощными GaN-транзисторами. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44895.8569

show abstract

Normally-off high-voltage p-GaN gate GaN HFET with carbon-doped buffer

Cited by 119 publications

References 7 publications

Current status of GaN power devices

Current status of GaN power devices

Evaluation of lattice curvature and crystalline homogeneity for 2-inch GaN homo-epitaxial layer

Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур

Contact Info

Product

Resources

About