2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS) 2016

DOI: 10.1109/ulis.2016.7440053

|View full text |Cite

|

Sign up to set email alerts

|

Numerical analysis and analytical modeling of RDF in DG Tunnel-FETs

¹

,

²

,

Fabian Hosenfeld

³

et al.

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

List Of Symbols1

Citation Types

Supporting

0

Mentioning

1

Contrasting

0

Year Published

2016

2016

2018

2018

Publication Types

Select...

Other3

Article2

Relationship

Self Cite0

Independent5

Authors

Journals

Cited by 5 publications

(1 citation statement)

References 7 publications

Supporting

0

Mentioning

1

Contrasting

0

Order By: Relevance

“…Mostly these works are focused on the potential characteristic and current in TFETs [30][31][32][33][34][35].…”

Section: List Of Symbolsmentioning

confidence: 99%

Compact modeling of intrinsic capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs

¹

,

²

,

³

et al. 2017

2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS)

View full text Add to dashboard Cite

ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel•lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.

“…Mostly these works are focused on the potential characteristic and current in TFETs [30][31][32][33][34][35].…”

Section: List Of Symbolsmentioning

confidence: 99%

Compact modeling of intrinsic capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs

¹

,

²

,

³

et al. 2017

2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS)

View full text Add to dashboard Cite

ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel•lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.

A new structure of electrically doped TFET for improving electronic characteristics

¹

,

²

,

³

et al. 2018

Appl. Phys. A

View full text Add to dashboard Cite

No abstract

Analytical model for random dopant fluctuation in double-gate MOSFET in the subthreshold region using macroscopic modeling method

¹

,

²

2016

Solid-State Electronics

View full text Add to dashboard Cite

No abstract

scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.

Contact Info

customersupport@researchsolutions.com

10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614

Henderson, NV 89052, USA

Product

Browser Extension Assistant by scite Citation Statement Search Reference Check Visualizations Dashboards Explore Journals Explore Organizations Explore Funders Embedding Badge Embedding Citation Search Pricing

Resources

Blog Help & FAQ Accessibility Statement API Terms For Universities & Governments For Researchers For Publishers For Corporate, Pharma & Enterprise Author Marketing Become an Affiliate Get an organization trial or quote scite Data & Services

About

News & Press Careers Read our Paper Coverage

This site is protected by reCAPTCHA and the Google Privacy Policy and Terms of Service apply.

Blog Terms and Conditions API Terms Privacy Policy Contact Cookie Preferences Do Not Sell or Share My Personal Information

Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.

Made with 💙 for researchers

Part of the Research Solutions Family.