Photoluminescence and bonding structure evolution of amorphous carbon films with laser intensity

Ding, X. L.; Li, Q.S.; Kong, Xiaojian

doi:10.1016/j.physb.2009.03.009

Cited by 8 publications

(1 citation statement)

References 18 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…В качестве зон-да сканирующего атомно-силового микроскопа (АСМ) P4-SPM-MDT использовались стандартные кремниевые кантилеверы CSG10 пирамидальной формы с радиусом закругления 10 нм и жесткостью 0. 3 -связях в аморфном углероде [6]. Часть атомов углерода связыва-ется с кремнием и дает широкую полосу рассеяния при 740 см −1 , параметры которой несущественно зависят от дозы С + .…”

Section: методика и результаты экспериментовunclassified

Влияние Высокодозной Имплантации Углерода На Фазовый Состав, Морфологию И Автоэмиссионные Свойства Кристаллов Кремния

Яфаров¹

2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

The study of high-dose carbon-ion implantation without post-process annealing reveals significant modification of the morphology, surface-layer phase composition, and field-emission properties of silicon wafers. The effect of the electrical conductivity type on the evolution of the silicon-crystal surface morphology, upon a variation in the irradiation dose, and a high content of diamond-like phases in the region of microprotrusions at the maximum dose regardless of the electrical conductivity type are found. It is demonstrated that the high-dose implantation of carbon in silicon wafers with a pre-structured surface increases the maximum density of field-emission currents by more than two orders of magnitude.

show abstract

Section: методика и результаты экспериментовunclassified