Photosensitivity of the Ni-n-GaAs Schottky barriers

Ni/n-GaAs ve NiO/n-GaAs Diyotların Elektriksel Parametreleri Arasındaki İlişki

“…Ni/n-GaAs Schottky diyotları daha önce farklı üretim yöntemleriyle üretilmiş ve elektriksel karakteristikleri incelenmiştir [24][25][26][27][28][29]. p-NiO/n-GaAs heteroeklem diyot da daha önce sol-jel yöntemi ile üretilmiş ve elektriksel özellikleri belirlenmiştir [30].…”

Kinetic laws of thermal transformations in nickel nanofilms

“…Due to their set of useful properties (e.g., corrosion resistance, high plasticity and ductility, chemical inertness, heat resistance, strength, magnetostriction, the ability to dissolve sig nificant amounts of other metals, and low vapor pres sure), nickel and compounds based on it are exten sively used in many fields of science, engineering, and industry [10][11][12][13][14][15].…”

DETERMINATION OF BARRIER HEIGHT OF Ni-SEMICONDUCTOR CONTACTS BY PHOTOELECTRIC METHOD

“…Именно поэтому метод Фаулера широко используется для измерения φ 0 контактов металл-полупроводник с различными комбинациями и чередованием компонент этих структур [2, 5,6]. Исключением из этого правила являются контакты Ni-n-GaAs, исследуемые в работах [7,8], в которых вообще не наблюдается фаулеровская область при освещении со стороны полупрозрачного Ni. Обнаруженную особенность авторы объясняют отсутствием поглощения фотонов с энергией 0,8-1,3 эВ в слое Ni вследствие сильного зеркального отражения.…”

“…Обнаруженную особенность авторы объясняют отсутствием поглощения фотонов с энергией 0,8-1,3 эВ в слое Ni вследствие сильного зеркального отражения. Однако, этот вывод противоречит результатам исследований тех же авторов контактов Au-n-GaAs [8], поскольку известно [9,10], что коэффициент отражения золота в указанном выше диапазоне заметно выше нежели никеля. Еще одним весомым аргументом авторы [7,8] считают также отсутствие в известных авторитетных источниках [2,5] значений φ 0 для контактов Ni-n-GaAs определенных фотоэлектрическим методом.…”

“…Неоднозначность и противоречивость изложенных выше результатов вызывает необходимость проведения дополнительных исследований, отсутствующих в работах [7,8]. Главным из них являются измерение и анализ спектров фоточувствительности и оптического пропускания Т w в фаулеровской области структур Ni-полупроводник на основе более широкого класса материалов.…”