Quantum Hall plateau-plateau transitions in n-InGaAs/GaAs heterostructures before and after IR illumination

Abstract

Temperature dependence of the bandwidth of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime Low Temp. Phys. 39, 50 (2013); 10.1063/1.4775752 Insulator-quantum Hall conductor transition in high electron density gated InGaAs/InAlAs quantum wells J. Appl. Phys. 108, 063701 (2010); 10.1063/1.3486081Magnetotransport in two-dimensional n -In Ga As ∕ Ga As double-quantum-well structures near the transition from the insulator to the quantum Hall effect regime Low Temp.The longitudinal q xx (B,T) and Hall q xy (B,T) magnetoresistances in n-InGaAs/GaAs heterostructures with a single quantum well are studied experimentally before and after IR illumination in the quantum Hall regime in magnetic fields B ¼ 0-12 T and at temperatures T ¼ 0.4-4.2 K. The temperature dependence of the width of quantum Hall plateau-plateau transitions is analyzed in terms of a twoparameter scaling theory. V C 2015 AIP Publishing LLC. [http://dx.

Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs

“…В работе [51] мы наблюдали кроссовер из неуниверсального скейлингового режима при T > 2 K с κ = 0.70 ± 0.12 к универсальному при T < 2 K с κ = 0.25 ± 0.02 в структурах n-In 0.2 Ga 0.8 As/GaAs с одиночной квантовой ямой с максимальной концентрацией электронов, полученной с помощью ИК-подсветки.…”

“…Значения κ с точностью до погрешности измерения, как до кроссовера, а также после него [51], хорошо согласуются со значениями, полученными в настоящем исследовании. Совпадает также и температура T cross = 2 K. Можно предположить случайное совпадение объема вклада в потенциал беспорядка от короткодействующего сплавного рассеяния в двух разных по составу, конструкции и свойствам 2D электронов гетероструктурах на основе InGaAs, который, как показано в работе [6], определяет как κ, так и T cross .…”

A crossover from Efros–Shklovskii hopping to activated transport in a GaAs two-dimensional hole system at low temperatures

“…The activated law can also be ascribed to transport in a percolating system: when a system consists of metal islands separated by insulating zones, the transport of carriers occurs by activated hopping from one island to another. This type of analysis has already been performed in the context of transitions in the quantum Hall-effect regime [22,23] , which is now recognized to have percolation transitions [24,25] . The percolation model gives a good description of the disorder, but it neglects interactions, which play an essential role in electron- ic transport.…”