Scaling in the quantum Hall effect regime in n-InGaAs/GaAs nanostructures

Quantum Hall plateau-plateau transitions in n-InGaAs/GaAs heterostructures before and after IR illumination

“…We note also that for low temperatures we can describe our data with a power-law dependence 0 ðTÞ $ T j with j ¼ 0:2560:02, which is close to the value of j found in our earlier paper 16 for the 2 ! 3 (j ¼ 0:2260:01) and 3 !…”

“…In an earlier paper 16 we have studied n-InGaAs/GaAs heterostructures with a double quantum well; this revealed a real scaling behavior with j ¼ 0.48 6 0.04 for the 1 ! 2 transition without illumination, in close agreement with the data of Refs.…”

“…Unique results have been obtained 16 on the n-InGaAs/ GaAs system with a double quantum well for a maximum concentration of electrons and maximum carrier mobilities after IR irradiation. The critical behavior of Dv(T) for the 2 !…”

Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs

“…Скейлинговое поведение с κ = 0.42 ± 0.01 было обнаружено и для переходов плато -плато КЭХ в гетероструктурах Al x Ga 1−x As/Al 0.33 Ga 0.67 As в области сплавного рассеяния [6,7]. Недавние эксперименты на структурах n-In 0.2 Ga 0.8 As/GaAs с двойными квантовыми ямами выявили реальное скейлинговое поведение с κ = 0.48 ± 0.04 для переходов между плато 1 → 2, что авторы связывают с решающей ролью мелкомасштабного примесного потенциала [32]. Значения κ = 0.42 были обнаружены для первого и второго уровней Ландау (как для электронов, так и для дырок) в монослое графена [33].…”

“…Значения κ = 0.21 ± 0.01 для спин-поляризованных уровней Ландау для переходов 2 → 3 и 3 → 4 были получены в гетероструктурах n-In 0.2 Ga 0.8 As/GaAs с двойными квантовыми ямами с максимальной концентрацией электронов, достигнутой путем подсветки инфракрасным излучением, и объяснены влиянием электронэлектронного взаимодействия конечного радиуса, связанного с эффективным экранированием дальнодействующего потенциала кулоновского электрон-электронного взаимодействия в одной квантовой яме с помощью другой [32].…”