Structural investigations of CuInSe2 epitaxial layers on {110}- and {100}-oriented GaAs Substrates

Self Cite

Dedicated to Professor Hermann NEELS on the occasion of his 75th birthday Epitaxial layers of AIBIIIClI compounds were grown by the flash evaporation technique and investigated using reflection electron diffraction. Geometric-structural considerations allow the prediction of epitaxial relationships and types of epitaxy (one-or three-dimensional, multiple orientation). These properties of the epitaxial layers were confirmed experimentally. Furthermore, the epitaxial temperature ranges, non-equilibrium phases, defects, and special features of the epitaxial growth are described. Especially, the influence of lattice misfit is discussed.Epitaktische Schichten von AIBIIIC~l-Halbleitern wurden mittels Flash-Verdampfung dargestellt und durch Heflexionselektronenbeugung untersucht. Die mit geometrischstrukturellen Retrachtungen vorausgesagten Verwachsungsgesetze und -typen (ein-und dreidimensionale Epitaxie, Vielfachorientierung) konnten experimentell bestiitigt werden .Weiterhin werden solche Parameter wie Epitaxietemperaturbereich, Nichtgleichgewiclitsphasen, Defekte und Besonderheiten des epitaktischen Wachstums beschrieben. Der Einf1uB der Gitterfehlpassung ist ausfuhrlich diskutiert.

“…in the systems CuInSe,/GaAs (100) (TEMPEL et al 1981), CuGaSe,/GaAs (100) (SCHUMANN et al 1983) and AgGaSe,/ GaAs (111) (SCHUMANN et al 1985).…”

mentioning

confidence: 96%

Epitaxy of A^IB^IIIC semiconductors

Schümann

Tempel

Kühn

1988

Self Cite

The influence of the lattice misfit on the growth of CuGaSe₂ Epitaxial Films on {100}‐oriented GaAs and GaP Substrates

Schümann

Tempel

Kühn

1983

Dedicated to Professor Hermann NEELS on the occasion of his 70th birthday CuGaSe, epitaxial layers were prepared on GaAs and GaP { 100}-oriented substrates by flash evaporation technique and characterized by RHEED. Different epitaxial relationships have been found for growth on the different types of substrate material. The orientation is determined by the minimum misfit.Durch Flash-Verdampfung wurde CuGaSez auf GaAs-und GaP-Substraten der Orientierung { 100) epitaktisch abgeschieden und mittels RHEED untersucht. Fur unterschiedliche Substratmaterialien wurden unterschiedliche Verwachsungsgesetze gefunden. I n jedem Falle wird die Orientierung mit der geringsten Fehlpassung bevorzugt.

Influence of substrate orientation on the electrical properties of CuInSe₂ epitaxial layers on GaAs substrates

Neumann

Nowak

1983

The electrical properties of CuInSe, epitaxial layers on (1ll)A-, (110)-, and (100)-oriented GaAs substrates are investigated. At substrate temprratures Tsub 2 820 K the p-type conductivity observed is governed by an acceptor state with a n ionization energy of about 110 rneV independent of the substrate orientation. At Tsub 5 770 K three different acceptor states are found in dependence on the substrate orientation: 390 meV for (1ll)A-, 110 nieV for (110)-, and a very shallow acceptor for (100)-oriented substrates. A possible correlation between these acceptor states and intrinsic defects is proposed. Die elektrischen Eigenschaften vori epitaktischen CuInSe,-Schichten auf (1 1 l)A-? (110)-und (lOO)-orientierten GaAs-Substraten werden untersucht. Bei Substrattemperaturen Tsuh 2 820 K wird die beobachtete p-Leitung unabhangig von tler Substratorientierung durch einen Akzeptorzustand niit einer Ionisierungsenergie von ctwa 110 meV brherrscht. Bei Tsub 5 770 K wurden in Abhiingigkeit von der Substratorientierung drei untrrschiedliche Akzeptorzustiinde gefunden: 390 rneV fur (1 1l)A-, 110 nieV fur (110)und ein sehr flacher Akzeptor fur (lOO)-orientierte Substrate. Eine rndgliche Korrelation zwischen diesen Akzeptorzustanden iind Eigendefekten wird vorgeschlagen.