Study of Au, Ni-(n)ZnSe Thin Film Schottky Barrier Junctions

Chaliha, Sumbit; Borah, Mothura Nath; Sarmah, P. C.; Rahman, A.

doi:10.1007/s10765-009-0555-9

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“…For a direct gap semiconductor the energy bandgap and D is related as [16,17], where, ' hQ ' is the incident photon energy, 'E g ' represents the energy bandgap and 'B' is characteristics parameter. Figure 10 shows the graph between wavelength.…”

Section: Optical Propertiesmentioning

confidence: 99%

Structural, optical and electrical properties of tin oxide thin film deposited by APCVD method

Borthakur

Saikia

2011

Indian J Phys

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Tin oxide (SnO 2 ) thin films have been grown on glass substrates using atmospheric pressure chemical vapour deposition (APCVD) method. During the deposition, the substrate temperature was kept at 400°C-500°C. The structural properties, surface morphology and chemical composition of the deposited film were studied by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM) and Rutherford back scattering (RBS) spectrum. XRD pattern showed that the preferred orientation was (110) having tetragonal structure. The optical properties of the films were studied by measuring the transmittance, absorbance and reflectance spectra between O = 254 nm to 1400 nm and the optical constants were calculated. Typical SnO 2 film transmits ~ 94% of visible light. The electrical properties of the films were studied using four-probe method and Hall-voltage measurement experiment. The films showed room temperature conductivity in the range 1.08 × 10 2 to 1.69 × 10 2 : -1 cm -1 .

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Section: Optical Propertiesmentioning

confidence: 99%

Structural, optical and electrical properties of tin oxide thin film deposited by APCVD method

Borthakur

Saikia

2011

Indian J Phys

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“…Com o aumento da temperatura, a tensão decorrente destas mudanças morfológicas provavelmente é menor e influencia a estrutura de crescimento do filme somente a partir de maiores valores de espessura. A diminuição da tensão interna em função do aumento da temperatura do substrato já foi verificada para filmes de ZnSe evaporados [46]. Embora pouco provável, outra possível causa desta variação estrutural é um gradiente de temperatura ao longo da espessura do filme durante a evaporação.…”

Section: Variação Da Temperatura Do Substratounclassified

Fabricação e caracterização de filmes finos de brometo de tálio (TIBr)

Destefano¹

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AgradecimentosPrimeiramente a Deus, pelas bênçãos em minha vida.À minha família, em especial aos meus pais e à minha irmã Paty, pelo amor, carinho e incentivo incondicionais. Vocês são a base da minha vida.À minha segunda família, Aninha, Line, Pá e Lucy, por todas as nossas terapias em grupo e infinitas risadas que tornam nossa convivência maravilhosa. ResumoPor ser um semicondutor de elevado número atômico, elevada densidade de massa e largo gap de energia, o brometo de tálio (TlBr) é um material promissor para a detecção da radiação ionizante à temperatura ambiente. Entretanto, existem poucos trabalhos relacionados ao estudo deste material sob forma de filme fino policristalino para produção em grandes áreas (∼ 40 x 40 cm 2 ) como desejado para aplicações médicas. Neste trabalho, as técnicas de spray pyrolysis e evaporação térmica foram avaliadas como métodos alternativos para a deposição de filmes de TlBr policristalinos. Ambas as técnicas apresentam relativo baixo custo e podem ser expandidas para grandes áreas. O objetivo deste trabalho é o estudo da influência das principais condições de crescimento dos filmes de TlBr nas suas propriedades estruturais, ópticas e elétricas finais.Para os filmes produzidos por spray pyrolysis água mili-Q foi utilizada como solvente. A solução (0,10 g de TlBr dissolvidos em 100 g de água) foi agitada à temperatura de 70°C. Cada deposição foi realizada mantendo os substratos (1cm 2 ) à temperatura de 100ºC, com um fluxo de nitrogênio (N 2 ) de 8 l/min e um fluxo de solução de aproximadamente 1/90 (ml/s). A distância bico de spray-substrato utilizada foi de 19 cm.Os filmes de TlBr evaporados foram crescidos pela evaporação térmica resistiva do material a partir de um cadinho de tungstênio. A temperatura do substrato foi avaliada desde a temperatura ambiente até 200°C. A separação substrato-superfície de evaporação, h, e o número de deposições por filme, n, também foram variados no intervalo de 3 a 9 cm e 1 a 4, respectivamente.A estrutura dos filmes foi investigada por Difração de Raios X (DRX), a morfologia por Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV) e a composição através da Espectroscopia de Dispersão de Energia (EDS). Experimentos ópticos de transmitância em função do comprimento de onda foram realizados para estimar o gap óptico dos filmes. As resistividades foram medidas a partir de experimentos de corrente elétrica em função da diferença de potencial aplicada. A corrente de escuro foi comparada à corrente sob iluminação com uma lâmpada fluorescente (20 watts). Por fim, algumas amostras selecionadas foram expostas aos raios X na faixa de diagnóstico mamográfico.As melhores propriedades foram obtidas para os filmes crescidos por evaporação térmica resistiva. Essa técnica permitiu a obtenção de filmes com espessura de até aproximadamente 28 µm a partir de uma única deposição de 12 minutos. Entretanto, como a pressão de vapor do bromo é significativamente menor que a do tálio, observou-se uma perda de 10% de bromo na composição dos filmes evaporados. O menor número de tr...

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