Thin SiO2/a-Si:H/SiO2 multilayer insulators obtained by electron cyclotron resonance chemical vapor deposition at room temperature for possible application in non-volatile memories

Formação e caracterização de filmes de silício amorfo hidrogenado depositado por ECR-CVD

“…tamanho de grão para o filme de 5W de potência de RF, que também apresentou a sua maior rugosidade através da medida AFM. Novamente, trata-se de um resultado importante, pois, conforme o processo de recozimento RTA e a concentração de H no filme, se consegue obter a cristalinidade adequada para a aplicação em células fotovoltaicas, o que trata este trabalho, e para outras aplicações, tais como obtenção de eletrodos de porta MOS com estes filmes de a-Si:H, seguidos com implantações de íons e recozimento RTA[61] ou, como dielétricos de porta MOS formado por SiO2/a-Si/SiO2 depositados no ECR-CVD para células de memórias[62]. Com estas estruturas p + -μc-a-Si/n ++ -c-Si, três conjuntos de dispositivos foram fabricados:1)O primeiro conjunto com estrutura Al/p + -μc-a-Si/n ++ -c-Si/Al com duas variações (grupos) para o contato nas costas: a primeira com contatos circulares separados e o segundo com um filme contínuo de alumínio.…”