Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей

Abstract

Исследованы вольт-амперные характеристики InxGa1-xAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей со встроенными n-InGaAs/InAlAs брэгговскими отражателями с содержанием индия (In) x=0.025-0.24. Проведены измерения последовательного сопротивления гетероструктур в диапазоне от 90 до 400 K. Установлено, что резкое увеличение сопротивления легированных кремнием отражателей с ростом доли индия вызвано слабой активацией донорной примеси в слоях InAlAs-n : Si. Вследствие этого в последних образуются энергетические барьеры для основных носителей заряда высотой 0.32-0.36 эВ, которые имеют значительную ширину. Для подавления обнаруженного эффекта разработана технология легирования n-InGaAs/InAlAs брэгговских отражателей теллуром (Te), которая позволила снизить последовательное сопротивление на 5 порядков. Это позволило сохранить фактор заполнения вольт-амперной характеристики на уровне выше 80% вплоть до плотностей тока 2 А/см2. Достигнутые при этом значения квантовой эффективности фотоответа фотопреобразователей выше 85% свидетельствуют о подавлении характерных для этого типа примеси эффектов "памяти" и сегрегации теллура. Ключевые слова: фотоэлектрический преобразователь, брэгговский отражатель, InGaAs, InAlAs, легирование, резистивные потери, гетерограница.

Высокоэффективные (EQE=37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями

“…Расширение спектра отражения и, соответственно, углов отражения может быть достигнуто в структурах с двухсекционными БО. Однако было установлено, что увеличение количества и суммарной толщины слоев в БО приводит к увеличению омических потерь [10]. Многочисленные потенциальные барьеры, образуемые слоями с разной шириной запрещенной зоны, препятствуют прохождению носителей заряда в структурах БО и приводят к увеличению последовательного сопротивления, особенно при использовании слоев p-типа [11].…”