Кристаллические Дефекты В Фотопреобразователях, Полученных Методом Термомиграции

Abstract

Приводятся результаты исследований кристаллической структуры областей кремния, перекристаллизо-ванных в процессе термомиграции жидкой кремний-алюминиевой зоной. Подобные области, легированные акцепторной примесью, необходимы для получения высоковольтных фотопреобразователей.С помощью рентгеновских дифракционных методов двухкристальных кривых отражения и топографии, а также просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения установлено, что при проведении термомиграции жидких зон в виде серии тонких полос или прямоугольных сеток формируются монокристал-лические области. Выявлены дислокационные полупетли, которые лежат в поверхностных слоях лицевой и тыльной сторон подложки. В перекристаллизованных областях обнаружены {311}-дефекты.

Влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства тонкопленочных упругонапряженных гетероструктур Al-=SUB=-x-=/SUB=-In-=SUB=-y-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-y-=/SUB=-Bi-=SUB=-z-=/SUB=-Sb-=SUB=-1-z-=/SUB=-/GaSb

“…Исследования многокомпонентных гетероструктур соединений A 3 B 5 показали, что качество поверхности и структурное совершенство зависит от условий выращивания [32]. Различие a и α в слое и подложке приводит к механическим напряжениям, возникающим в кристаллизуемом материале непосредственно в процессе роста, либо во время последующего охлаждения до комнатной температуры [15][16][17][18][19][20][21][22][23][24][25][26][27][28][29][30][31][32][33][34].…”

“…Применение висмута в качестве изовалентной примеси дает ряд преимуществ, таких как: улучшение морфологической стабильности фронта кристаллизации и уменьшение отклонения состава соединений A 3 B 5 от стехиометрии, возможность изменения коэффициентов распределения легирующих компонент за счет взаимодействия примесей в расплаве [21]. Увеличение компонентов в многокомпонентных твердых растворах (МРТ) и легировании изовалентными примесями (Bi) открывает широкие возможности в варьировании фотоэлектрических свойств элементной базы приборов [22][23][24][25][26][27]. Кроме того, висмутосодержащие многокомпонентные гетероструктуры на основе антимонида галлия интересны также для создания фотоприемных устройств, работающих в спектральном диапазоне 0.4−4.0 µm [28][29][30].…”

Тонкопленочные гетероструктуры In-=SUB=-x-=/SUB=-Al-=SUB=-y-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-y-=/SUB=-As-=SUB=-z-=/SUB=-Sb-=SUB=-1-z-=/SUB=-/GaSb, выращенные в поле температурного градиента

“…Расчет параметров пятикомпонентных твердых рас-творов InAlGaAsSb таких составов, при которых слой твердого раствора согласован с подложкой GaSb по постоянной решетки (a) и КТР (α), т. е. изопараметриче-ских гетероструктур In x Al y Ga 1−x −y As z Sb 1−z /GaSb, про-веден по уравнениям работ [17][18][19]. Для расчета фазовых равновесий в системе InAlGaAsSb/GaSb использованы уравнения фазового равновесия " жидкое−твердое" в приближении регулярных растворов [20][21][22][23] в интервале температур 793−1143 K. Результаты расчетов приведе-ны на рис.…”

“…Для расчета фазовых равновесий в системе InAlGaAsSb/GaSb использованы уравнения фазового равновесия " жидкое−твердое" в приближении регулярных растворов [20][21][22][23] в интервале температур 793−1143 K. Результаты расчетов приведе-ны на рис. 1.…”

Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs

“…Для расчета периода кристаллических решеток In x Al y Ga 1−x −y P z As 1−z a(x, y, z ) и ширины запрещенной зоны (E g ) использовали уравнения работ [15,16].…”