Роль Упругих Напряжений При Формировании Нитридных Нитевидных Нанокристаллов С Кубической Кристаллической Структурой

Abstract

In this work, a theoretical study of the growth of nitride nanowires with metastable cubic (zincblende) crystal structure is presented. The formation of cubic lattice is explained by accounting the elastic strain in the nucleus of a new layer within the nanowire. The growth of GaN nanowires with cubic crystal phase on sapphire substrates is described.

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г. Изменение кристаллической фазы в гетероструктурных Ga(As, P) нитевидных нанокристаллах под воздействием упругих напряжений

“…Начальный интерфейс, как правило, получается заметно более резким, чем завершающий [20,30]. Более высокая резкость начального интерфейса может объясняться заметно меньшей растворимостью фосфора в капле катализатора [9,32,33] или тем фактом, что переход от чистого вещества к смеси всегда резче, чем обратный [9,34], а также наличием эффекта резервуара при росте ННК по механизму пар−жидкость−кристалл [8,34]. Таким образом, при формировании Ga(As, P)-вставки в GaP ННК начальный край вставки всегда резче завершающего.…”

Кинетика самопроизвольного формирования структуры ядро-оболочка в нитевидных нанокристаллах (In,Ga)As

“…где v InAs и v GaAs -скорости встраивания пар атомов In−As и Ga−As в ступень. В предположении малого размера критического зародыша нового МС [9,10] скорость встраивания пар In−As и Ga−As в ступень может быть описана формулами [11,12]: Рис. 1.…”