2020
DOI: 10.21883/pjtf.2020.23.50340.18467
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Электрические контакты к структурам на основе InP с подконтактным слоем к p-InP, легированным Zn

Abstract: The paper presents the results of using sub-contact layers with a band gap from 0.35 to 0.8 eV to obtain low-resistance electrical contacts to p-InP. An experimental dependence of the contact resistance on the band gap of the sub-contact material In(x)Ga(1-x)As is obtained.

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2021
2021
2021
2021

Publication Types

Select...
2

Relationship

1
1

Authors

Journals

citations
Cited by 2 publications
(1 citation statement)
references
References 2 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…Метод ТИЭЗ позволяет анализировать электрические характеристики структур в объеме без создания омических контактов. Следует отметить, что низкоомные контакты к p-InP [11] сложно изготавливать, и это влияет на измерения вольт-амперных характеристик. Методом фотолюминесценции оценивалось качество InP, выращенного на слое с кристаллитами.…”
unclassified
“…Метод ТИЭЗ позволяет анализировать электрические характеристики структур в объеме без создания омических контактов. Следует отметить, что низкоомные контакты к p-InP [11] сложно изготавливать, и это влияет на измерения вольт-амперных характеристик. Методом фотолюминесценции оценивалось качество InP, выращенного на слое с кристаллитами.…”
unclassified