Представлено результати вимірів контактної різниці потенціалів неекранованого та екранованого зразків кабелів з ви-тими парами без екранованої камери, в екранованій не заземленій та заземленій камері. Проведення обстеження в зазем-леній камері більш ефективно у випадку екранованих кабелів. Показано, що застосування електростатичного вольт-метру з більш високою чутливістю в порівнянні з цифровим мультиметром призводить до реєстрації як власних внут-рішніх індивідуальних шумів кабелю, так і зовнішніх. Визначено коефіцієнти кореляції між результатами вимірів кон-тактної різниці потенціалів силового кабелю електростатичним вольтметром та цифровим мультиметром.Представлены результаты измерений контактной разницы потенциалов неэкранированного и экранированного об-разцов кабелей с витыми парами без экранированной камеры, в экранированной не заземленной и заземленной камере. Проведение обследований в заземленной камере более эффективно в случае экранированных кабелей. Показано, что применение электростатического вольтметра с более высокой чувствительностью в сравнении с цифровым вольт-метром приводит к регистрации, как собственных внутренних индивидуальных шумов кабеля, так и внешних. Опре-делены коэффициенты корреляции между результатами измерений контактной разности потенциалов силового кабеля электростатическим вольтметром и цифровым мультиметром.

The results of observation of different structuring techniques of thin metal layers applied in micro system technologies are presented. The Ti V getter films formed by magnetron sputtering have been explored using scanning electron and atomic-force microscopy, Brunauer-Emmett-Teller method, thermogravimetric analysis and fractal geometry. The film sorption capacity for hydrogen given by thermogravimetry was of 7.7 m^3_·Pa·g^-1. To estimate the effective surface area, the fractal geometry tools were used and the calculated value of the specific surface area was about 155 m²/m³. The second object under investigation was a structure composed of micro- and mesoporous silicon and copper layer deposited electrochemically on the pore walls. Porous silicon when coupled with a reactive metal or alloy is expected to be an effective getter for micro system techniques. The use of porous silicon and specific conditions of depositions allows to form the structure of complex fractal type with a specific surface area of 167 m²/cm³.

Показана динаміка зміни контактної різниці потенціалів силових кабелів зі зшитою поліетиленовою ізоляцією в початковому стані та після додаткового терморадіаційного старіння. Запропоновано проводити заземлення металевих елементів кабелю перед початком вимірювань для зменшення ступеню впливу поверхневих зарядів. Експериментально встановлено, що контактна різниця потенціалів є чутливим показником до процесів старіння (окислення) полімерної ізоляції. Показана динамика изменения контактной разности потенциалов силовых кабелей со сшитой полиэтиленовой изоляцией в исходном состоянии и после дополнительного терморадиационного старения. Предложено проводить заземление металлических элементов кабеля перед измерениями для уменьшения степени влияния поверхностных зарядов. Экспериментально установлено, что контактная разность потенциалов является чувствительным показателем к процессам старения (окисления) полимерной изоляции.

The results of studies relating to the use of porous silicon as the basis for the creation of nanostructured getter layers for MEMS are presented. New technical solutions, in which the porous silicon with pores of micro- and nanometer range is used as a matrix for the deposition of reactive metals or metal alloys, were developed. The research results can be used to create getters for MEMS, as well as in other areas which require the creation of structures with a developed surface.

Introduction. Modern high-voltage systems for composite insulation of electrical machines consist of tape glass mica paper materials (dry or pre-impregnated). The electrical characteristics of a multilayer composite insulation system are determined by both the fractional content of the individual components and their electrophysical properties. Purpose. The analysis of the influence of electrophysical characteristics and thickness (fraction) of the dielectric barrier on the distribution of the electric field in the composite high-voltage insulation of electrical machines. Methodology. Simulation of surface charge accumulation at the interface between the substrate and the dielectric barrier is based on the Maxwell-Wagner theory for interfacial polarization. Practical value. The influence of the electrophysical characteristics and thickness of the dielectric barrier on the distribution of the electric field has been established. In the steady state, the electric field strength in the dielectric barrier exceeds the average value by 50 %. In the region of small transition times (up to 1 s), the relative dielectric constant of the barrier has a significant effect on the distribution of the electric field. The use of a dielectric barrier with a higher dielectric constant and fractional content in comparison with the substrate leads to an increase in electric field strength by 5 % relative to the average value in composite insulation. Experimental studies of the long-term electrical strength of glass mica-belt ribbons in the cured (thermosetting) state are consistent with the simulation results. Composite insulation based on glass fiber mica tape with a high content of the mica barrier and fiberglass of smaller thickness has (8-16) % higher values of long-term electric strength. References 9, figures 5.