ESR observations a t zero external stress of the shallow acceptor centre boron in silicon are reported for the first time. These observations have become possible by the high degree of crystal perfection attainable today in Si-crystal growth. The spectrum, its angular and uniaxial pressure dependence are interpreted in terms of a spin Hamiltonian given by Bir. Additional terms in this spin Hamiltonian are shown to be necessary to account for the experimental result and to explain the differences between the spin Hamiltonian constants derived by different authors.Es werden erstmals ESR-Untersuchungen des flachen Akzeptors Bor in Silizium bei uniaxialem Druck Null berichtet. Diese Untersuchungen sind durch den heute an Si-Kristallen erreichbaren hohen Grad an Kristallperfektion ermoglicht worden. Das Spektrum, seine Winkel-und Druckabhiingigkeit werden a n Hand eines von Bir gegebenen Spin-Hamiltonoperators beschrieben. Es wird die Notwendigkeit von Zusatztermen gezeigt, um die experimentellen Ergebnisse beschreiben und die Unterschiede der von verschiedenen Autoren bestimmten Konstanten des Spin-Hamiltonoperators erkliiren zu konnen.

Observations of the ESR lineshape of the shallow acceptor centre B in silicon at zero external stress are reported. The broadening of two AM = 1 transitions can be well fitted by a Voigt profile. The Lorentzian part of the fit is shown to behave in full accordance with the theory of strain broadening by point defects. From linewidth measurements for different oxygen and carbon content the elastic strengths of oxygen end carbon in silicon are determined. All obtainable elastic strengths for point defects in silicon are collected. The possibility of determining the total amount of substitutional impurities from the Lorentzian broadening of the AM = 1 transitions is discussed.Es wird uber Untersuchungen der ESR-Linienform des flachen Akzeptors Bor in Silizium bei uniaxialem Druck Null berichtet. Die Verbreiterung von zwei AM = 1-ffbergiingen hnn sehr gut durch ein Voigt-Linienprofil beschrieben werden. Der Lorentz-Anteil des Voigt-Profils verhiilt sich in den Experimenten in voller ffbereinstimmung mit der Theorie der Linienverbreiterung durch Punktdefekte. Aus Messungen der Linienbreite fiir verschiedene Sauerstoff-und Kohlenstoffkonzentrationen werden die Punktdefektstiirken von Sauerstoff und Kohlenstoff in Silizium bestimmt. Punktdefektstiirken von Zentren in Silizium werden zusammengestellt. Es wird eine Moglichkeit diskutiert, aus der Lorentz-Verbreiterung der AM = 1 Obergiinge den Geaamtgehalt an substitutionellen Verunreinigungen zu bestimmen.

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