Microchip laser converter based on InGaN laser diode and (Zn)CdSe quantum dot heterostructure

Abstract

A high-efficiency microchip violet-green laser converter based on a molecular-beam epitaxy grown green-emitting (Zn)CdSe quantum dot (QD) II-VI laser heterostructure, optically pumped by emission of a cheap violet InGaN laser diode (LD) was demonstrated. The active region of the II-VI laser heterostructure consisted of three electronically coupled (Zn)CdSe QD sheets in a single ZnSe quantum well (QW) placed asymmetrically inside a graded-index ZnMgSSe/ZnSe superlattice optical waveguide. The cavity length of the cleavedfacet II-VI laser was 130 mm which is a nearly optimal value for minimizing the excitation power. InGaN LD radiation was focused into a narrow stripe on the surface of the II-VI laser by a microlens optical system. The converter showed laser emission at 541 nm with threshold excitation power of $0.5 W. The maximal output pulse power and conversion efficiency of 1.5 W and $15%, respectively, were achieved. The device was mounted in a standard TO-18 LD package.Photograph of the operating violet-green microchip laser converter.

Изменение структуры и люминесцентных свойств пленок ZnSe и ZnCdSe при облучении электронным пучком

“…В связи с этим, повышенное внимание уделялось разработке альтернативных путей получения лазерной генерации, не требующих p−n-перехода и омических контактов, а именно созданию сине-зеленых полупроводниковых лазерных конвертеров А 2 В 6 /A 3 N [3,4]) и полупроводниковых лазеров А 2 В 6 с электронно-лучевой накачкой (ПЛЭН) [5]. В последних исследованиях значения рабочей энергии электронов, требуемой для их работы при комнатной температуре были снижены до 4−10 keV, была получена генерация при рекордно низких значениях пороговой плотности тока пучка электронов -около 0.5 A/cm 2 [6], а использование лазерной сборки позволило получить импульсы излучения мощностью более 600 W [7].…”