New connecting elements for cascade photoelectric converters based on InP

Marichev, A. E.; Pushnyi, B. V.; Levin, Roy; Lebedeva, Nadezhda; Prasolov, N. D.; Kontrosh, E. V.

doi:10.1088/1742-6596/993/1/012036

Cited by 4 publications

(4 citation statements)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Результаты начального этапа работ по получению кристаллитов GaP приведены в [7], а настоящей работе впервые представлены данные по изготовлению аналогичных соединительных элементов в структурах на основе InP, так как изготовление туннельных переходов в InP сопряжено со сложностью сильного легирования этих материалов. Материалы на основе InP являются перспективными для изготовления фотоприемников в спектральном диапазоне 0.95−1.2 µm.…”

Section: Si-включения анализ темновых вольт-амперных характеристик (unclassified

Изготовление и исследование коммутирующих p-n-переходов для каскадных фотопреобразователей

Левин¹,

Маричев²,

Контрош³

et al. 2018

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

Представлены результаты исследований по созданию новых соединительных элементов для применения в монолитных многопереходных фотопреобразователях на основе InP. В качестве альтернативы туннельным переходам продемонстрирован новый тип соединительных элементов с удельным омическим сопротивлением менее 2 m • cm 2 в диапазоне плотностей тока до 700 A/cm 2 .

show abstract

Section: Si-включения анализ темновых вольт-амперных характеристик (unclassified

Изготовление и исследование коммутирующих p-n-переходов для каскадных фотопреобразователей

Левин¹,

Маричев²,

Контрош³

et al. 2018

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…It is also important to preserve the quality of material of photoactive junctions grown on top of nanocrystallitecontaining layers, since lower-quality junctions reduce the efficiency of radiation conversion. The specifics of production of GaP crystallite aggregations on an InP layer were discussed in [9,10].…”

mentioning

confidence: 99%

“…Structures were grown by metalorganic vapor phase epitaxy using an AIX-200 (AIXTRON, Germany) system [9] on n-InP(100) substrates. Two types of structures, which are presented in Fig.…”

mentioning

confidence: 99%

Replacing tunnel junctions in InP with conduction channels with GaP crystallites

Marichev

Эполетов

Vlasov

et al. 2022

Technical Physics Letters

View full text Add to dashboard Cite

The results of investigations by the method of Electron beam-induced current of p-n-junctions based on InP with GaP crystallites in the space charge region are presented. It is shown that the introduction of crystallites into the space charge region leads to short-circuiting of the p-n-junction. The quality of the material grown on top of the crystallites allows to create of photoactive regions, as evidenced by measurements of the photoluminescence spectra. Keywords: crystallites, tunnel junction, connecting element.

show abstract

“…Важным является cохранение качества материала фотоактивных переходов, выращенных поверх слоев, содержащих нанокристаллиты, так как снижение их качества приводит к уменьшению эффективности преоб-разования излучения. Особенности получения массивов кристаллитов GaP на слое InP описаны в [9,10].…”

unclassified

Замена туннельных переходов в InP на каналы проводимости с кристаллитами GaP

Marichev¹,

Эполетов²,

Vlasov³

et al. 2021

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

The results of investigations by the method of Electron beam-induced current of p-n junctions based on InP with GaP crystallites in the space charge region are presented. It is shown that the introduction of crystallites into the space charge region leads to short-circuiting of the p-n junction. The quality of the material grown on top of the crystallites allows to create of photoactive regions, as evidenced by measurements of the photoluminescence spectra.

show abstract

New connecting elements for cascade photoelectric converters based on InP

Cited by 4 publications

References 0 publications

Изготовление и исследование коммутирующих p-n-переходов для каскадных фотопреобразователей

Изготовление и исследование коммутирующих p-n-переходов для каскадных фотопреобразователей

Replacing tunnel junctions in InP with conduction channels with GaP crystallites

Замена туннельных переходов в InP на каналы проводимости с кристаллитами GaP

Contact Info

Product

Resources

About