Photodiode properties of molecular beam epitaxial InSb on a heavily doped substrate

Synchrotron Radiation X‐Ray Absorption Spectroscopy and Spectroscopic Ellipsometry Studies of InSb Thin Films on GaAs Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

“…While CdTe is the only semiinsulating lattice-matched substrate available for InSb growth, it is difficult, however, to avoid the formation of the In 2 Te 3 precipitates at the InSb/CdTe interface [43,44]. Hence, many alternative materials (viz., Si, GaAs, InP, sapphire, and mica) have been chosen as substrates for preparing InSb epifilms [2,[15][16][17][19][20][21][22][23][24][25][26][27][28][29][30][31][32] by molecular beam epitaxy, liquid-phase epitaxy [18,30], metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) [20][21][22]31], metalorganic magnetron sputtering [32,45], and two-step growth process [46] methods. Despite a large (14.6%) lattice mismatch between InSb and GaAs, the semi-insulating GaAs is considered as an attractive substrate due to high chemical stability and resistivity.…”

Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

“…В качестве исходного материала используют монокристаллический InSb или эпитаксиальные слои InSb, обычно выращива-емые методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Эпитаксиальные слои менее дефектные, более однород-ные, имеют меньшую концентрацию фоновой примеси, чем монокристаллические пластины, что позволяет по-высить характеристики МФПУ [4][5][6][7]: -уменьшить процент дефектных элементов, -повысить количество элементов в матрице, -уменьшить фотоэлектрическую и динамическую взаимосвязь элементов, -повысить рабочую температуру, -уменьшить вес. Кроме того, эпитаксиальное выращивание позволяет оптимизировать характеристики детекторов путем со-здания многослойных эпитаксиальных гетероструктур с заданным распределением профиля легирования и соста-ва по толщине, что открывает возможность дальнейшего улучшения характеристик МФПУ [8].…”