Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток

Abstract

Впервые теоретически и экспериментально исследована радиационная стойкость к гамма-нейтронному облучению (∼ 1 МэВ) диодов на основе симметричных GaAs/AlAs 30-периодных сверхрешеток. В расчетах использованы модельные зонная диаграмма и эквивалентная схема исследуемой структуры. Расчеты проведены в квазигидродинамическом приближении с учетом разогрева исследуемых диодов протекающим током. Результаты расчетов ВАХ и предельных частот работы диодов до и после гамма-нейтронного облучения хорошо коррелируют с экспериментальными данными.

Radiation hardness of subterahertz radiation source after neutron exposure

“…Such a device is based on a source of the Gunn diode (GD) heterodyne and the semiconductor superlattice (SCSL) multiplier [9]. Currently, the studies are actively undertaken for ionising radiation hardness of the traditional bulk [10] and planar Gunn diode [11], as well as the diodes based on the GaAs/AlAs-superlattices [12]. This article examines the radiation hardness of the subterahertz source based on GD and SCSL.…”

Радиационная Стойкость Источника Субтерагерцового Излучения После Нейтронного Воздействия

“…В качестве основы подобного прибора рассматривается источник из гетеродина на диоде Ганна (ДГ) и умножителя на полупроводниковой сверхрешетке (ППСР) [9]. В настоящее время активно исследуется устойчивость к ионизирующим видам излучения традиционного объемного [10] и планарного диода Ганна [11], а также диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток [12]. В данной статье рассматривается радиационная стойкость источника субтерагерцового диапазона на основе ДГ и ППСР.…”

Радиационная Стойкость Источника Субтерагерцового Излучения Из Гетеродина На Генераторе На Диоде Ганна И Умножителя На Полупроводниковой Сверхрешетке

“…Одним из таких источников излучения является прибор из гетеродина на генераторе на диоде Ганна (ДГ) и умножителя на полупроводниковой сверхрешетке (ППСР) [7]. В настоящее время активно исследуется устойчивость к ионизирующим видам излучения традиционного объемного [8] и планарного ДГ [9], а также диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток [10], в настоящей работе рассматривается радиационная стойкость источника субтерагерцового диапазона на основе ДГ и ППСР.…”